山东
IT之家 8 月 20 日消息，摩根士丹利在最新研究报告中指出，受存储厂商把晶圆产能转向 HBM、DDR5 和高层数 NAND 影响，预测成熟型 DRAM 内存和 NAND 闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。
该机构预测 2026 年第 3 季度 DDR4 内存价格将会上涨 50%（原文并未提及是同比还是环比，基于上下文更大概率是环比），而第 4 季度再上涨 10% 以上。SLC NAND 的价格涨幅更高，预计 2026 年第 3、4 季度均上涨 50% 以上。IT之家附上相关截图如下：
摩根士丹利认为本轮供应收缩，主要由供给侧变化推动。存储厂商持续把晶圆产能转向 HBM、DDR5 和更高层数的 NAND，留给 DDR4 与 SLC NAND 的产能份额快速缩小。
由于 HBM 包括垂直堆叠结构等多种原因，其晶圆消耗量约为传统 DRAM 的 3 倍。瑞银近期预计，英伟达单家公司在 2027 年将消耗约 251 亿 Gb 的 HBM，而整个行业的需求约为 615 亿 Gb。
DDR5 价格同样保持上涨趋势。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB 内存的现货价格在 8 月环比上涨 8%，同比涨幅约为 483%。
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