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旭成网 8 月 19 日讯，根据韩国行业媒体援引业内人士消息，三星电子定下全新研发目标，计划在 2026 年 9 月率先完成1d nm DRAM存储芯片的研发工作，抢跑下一代先进内存工艺赛道。
据披露的项目时间表，三星如果可以按期完成 1d‑nm DRAM 开发，将于同年 12 月启动技术向产线转移工作，2027 年上半年开启配套生产线建设，目标在 2027 年底实现首批芯片量产落地。
从最新研发进度来看，这款新一代内存的热环境测试良率已经达到预设指标，现阶段研发重心放在攻克低温冷测试环节，进一步提升整体稳定性与良率水平，为后续量产铺平道路。
1d nm 属于第七代 10 纳米级 DRAM 工艺，相比现有产品，可以进一步提升芯片存储密度、降低运行功耗，对于普通消费级内存以及 AI 高带宽显存都具备十分关键的价值。三星已经规划，后续会将 1d nm 工艺芯片用于新一代 HBM5E 高带宽内存产品当中，夯实自身在 AI 显存市场的底层技术基础。
当前全球两大韩系存储巨头正开启下一代 DRAM 技术竞速。此前 SK 海力士已经率先完成 1c nm DRAM 的开发，目前该企业的 1d nm 项目处在热测试、良率优化阶段，预计 2026 年 12 月完成研发，整体进度略晚于三星的规划目标。
业内分析指出，随着人工智能算力需求持续爆发，服务器、AI 加速卡对于高性能、大容量内存的需求不断攀升，先进制程 DRAM 既是普通内存升级的关键，也是高端 HBM 显存的底层基石。谁能够率先拿下 1d nm 节点，就可以在未来几年的全球存储市场拿到先发优势。
不过行业人士也提醒，现阶段 1d nm DRAM 依旧处于研发早期，即便顺利完成开发，从技术定型、产线搭建再到稳定大规模供货，中间仍然面临良率爬坡、工艺优化等多重挑战，实际量产节奏存在调整可能性。三星官方方面则对外表示，暂时无法确认相关研发进度传闻。
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