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国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“GaN HEMT器件及其制备工艺”的专利，公开号CN122602534A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种GaN HEMT器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域，GaN HEMT器件包括势垒层、栅极结构以及场板，所述栅极结构设在所述势垒层上方，所述场板的底部覆盖所述势垒层，所述场板的顶部覆盖所述栅极结构，所述场板与所述栅极结构之间的距离大于所述场板与所述势垒层之间的距离。本发明通过增大场板与栅极结构之间的距离，可在不影响电场分布的情况下优化栅极电荷。
天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本440000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息302条，此外企业还拥有行政许可54个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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