北京
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“喷淋头加热装置及半导体薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN224647072U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种喷淋头加热装置及半导体薄膜沉积设备，该喷淋头加热装置包括加热环、热管组件及绝缘传热结构，加热环，用于环设于喷淋头的外周以对其加热；热管组件，设于所述加热环的内部，所述热管组件包括至少一热管，所述热管包括蒸发段和冷凝段，所述冷凝段与所述加热环接触；绝缘传热结构，其内部设有热源，所述绝缘传热结构设于所述加热环的外侧并与所述热管的蒸发段接触。本申请通过热管组件的高效传热特性，将绝缘传热结构中的热源热量快速均匀地传递至加热环，进而实现对喷淋头的均匀加热，有效解决了传统电加热方式存在的温度不均及交流电与射频电极耦合问题，显著提升了等离子体工艺稳定性和薄膜沉积质量。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本336201.367794万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息552条，此外企业还拥有行政许可19个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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