北京
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国家知识产权局信息显示，胜高股份有限公司申请一项名为“晶片外周部的研磨方法及晶片外周部的研磨装置”的专利，公开号CN122559867A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供晶片外周部的研磨方法及晶片外周部的研磨装置。晶片外周部的研磨方法一边使晶片旋转，一边将前述晶片的外周部中的与前述晶片的主面连续且相对于前述主面倾斜的斜面研磨，包括：第1研磨工序，将相对于前述主面成第1角度的第1研磨面推抵在前述斜面，将前述斜面研磨；以及第2研磨工序，将相对于前述主面成比前述第1角度小的第2角度的第2研磨面推抵在前述斜面，将前述斜面研磨。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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