北京
国家知识产权局信息显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN122579658A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法，该器件包括半导体衬底、外延层、源极沟槽、栅极沟槽、高k介质层、肖特基金属层及正面金属层。其中，两个栅极沟槽并排且间隔设置于两个源极沟槽之间，第一沟槽内设有高k介质层，肖特基金属层形成于两个栅极沟槽之间并与外延层形成肖特基接触，且通过正面金属层与源极多晶硅电连接。本发明通过在两个栅极沟槽之间集成肖特基结，利用肖特基结的快恢复作用优化反向恢复性能，同时利用高k介质层调制电场分布，降低漏电及击穿风险，提高了器件的可靠性。
天眼查资料显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1704.1654万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息18条，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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