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观点网讯：8月13日，全球高频宽记忆体龙头SK海力士正投资7200亿美元，建立其所称全球最大的记忆体工厂网络。SK海力士市值过去一年升逾5倍，目前超过1万亿美元。
Counterpoint Research数据显示，今年首季SK海力士占高频宽记忆体(HBM)市场58%份额，其后为三星电子及美国美光，两者均为21%。
为支持大规模扩产，SK海力士今年7月透过在纳斯达克上市集资265亿美元，成为外国企业在美国市场上市集资规模最大纪录。不过，自7月14日升至接近195美元高位后，其美国上市股份累跌约21%，周三收报154.41美元。跌势与AI概念股，尤其晶片股波动，以及韩国市场下跌同步出现，当地股市约一半市值来自SK海力士及三星电子。
该计划属于南韩总统李在明今年6月公布的更大蓝图一部分，目标是在5年内将国家记忆体产能倍增，当中包括多座三星大型晶圆厂建设。
与美国晶片厂相比，SK海力士在南韩的厂房最大差异在于高度。公司表示最终高度将相当于50层住宅大楼。厂房将设有6个跨楼层连接的无尘室，而非如台积电及英特尔于亚利桑那州新厂般采用单层横向布局。
SK集团董事长崔泰源在首尔接受访问时表示：希望大规模扩产有助纾缓“价格升得太快”情况。SK海力士今年7月表示，已与主要客户签订10份长期协议。英伟达已获得稳定HBM供应，并同意共同开发下一代记忆体，作为SK集团5000亿美元合作协议一部分，内容包括于2027年前与SK Telecom兴建新数据中心。
Counterpoint Research研究总监MS Hwang表示，SK海力士及三星记忆体厂扩建附近酒店目前全部爆满。
SK海力士亦在中国设有3座记忆体晶圆厂，但受美国出口管制限制，无法向中国销售最先进HBM。中国亦有包括长鑫存储在内的新兴AI记忆体制造商，该公司近期于上海市场上市表现强劲。MS Hwang表示：“这是一场竞赛，而现在的对手是中国，这将比世界上任何其他因素都更具威胁。”
SK海力士亦正兴建首座美国设施，预计于2028年完工。位于印第安纳州West Lafayette、投资40亿美元的工厂将专注封装工序，即堆叠及连接记忆体晶片，而非前端制造。除印第安纳州项目外，SK海力士亦已在美国设有业务。公司于2020年同意以90亿美元收购英特尔NAND业务，其后成立总部位于加州萨克拉门托附近的子公司Solidigm。今年1月，SK海力士重组该业务，并于美国成立100亿美元“AI Company”，但目前未有前端制造相关计划。谈及美国晶片厂计划时，崔泰源表示，公司已研究潜在选址逾一个月，必须找到合适地点。
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