北京
花旗认为，近期内存芯片股的抛售反而提供了买入机会。该行指出，人工智能驱动的内存上行周期仍处于早期阶段，最终有望超越2001年至2007年间行业上一次大繁荣。 花旗表示，当前环境与2000年代初NAND闪存的长期扩张期存在诸多相似之处。当时，MP3播放器和数码相机等产品重塑了需求，闪存逐步取代了更老旧的存储技术。 **大涨之后遭遇回调** 内存芯片制造商在今年早些时候录得可观涨幅后，近期出现明显回落。美光（NASDAQ:MU）、三星电子（USOTC:SSNHZ）和SK海力士（NASDAQ:SKHY）的股价自近期高点均已下跌超过20%，原因是投资者对高估值以及AI相关资本开支的可持续性感到担忧。 尽管股价走弱，花旗认为长期投资逻辑依然成立。该行表示，当前周期“有望跑赢2001年至2007年的那轮上行周期，因为AI需求正在同时拉动DRAM和NAND的需求。” **长期合约强化需求前景** 花旗指出，当前上行周期仍有空间的强力信号之一，是长期协议的日益普及。据报道，客户正在签署期限为三至五年的合同，这表明市场对需求将在更长时间内维持高位的信心，比许多投资者最初预期的更强。 花旗认为，这些协议将提升整个行业长期盈利的能见度。 **HBM供应受限持续影响AI基础设施** 花旗还强调了高带宽内存（HBM）持续短缺的问题，并预计这将影响AI基础设施的演进方式。该行认为，AI开发者越来越倾向于采用“横向扩展”（scale-out）策略，而不是将算力集中到少数配备极高HBM容量的GPU上。
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