北京
国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“磁存储器”的专利，公开号CN122534880A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种磁存储器，其结构相对简单且即便无外部磁场也能够以低消耗电流动作。本实施方式的磁存储器具备第1电极、以及隔着距离地排列在第1方向上的第2电极与第3电极。非磁性导电层将第2电极与第3电极之间电连接，且沿第1方向延伸。第1磁性层相对于非磁性导电层设置在与第1方向交叉的第2方向。第1磁性层沿第1方向延伸，并且包含沿着第1方向排列的第1区域与第2区域，第1区域的至少一部分在第2方向上设置在第1电极与非磁性导电层之间。第2磁性层设置在第1区域与第1电极之间，且磁化方向沿着第2方向被固定。非磁性绝缘层设置在第1磁性层与第2磁性层之间。在从第2方向观察的情况下，第1电极设置在：第2电极与第3电极之间、至少一部分与第2电极重叠的位置、或者至少一部分与第3电极重叠的位置。第1区域的磁化方向沿着所述第2方向为可变。第2区域的磁化方向沿着第1方向被固定。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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