北京
在NAND闪存进入3D堆叠时代后，行业普遍追求更高层数以提升存储密度，如今已有厂商做到400层以上。然而，铠侠（Kioxia）却走出了一条不同的道路——其最新的BiCS10代闪存只有332层，却宣称实现了全球最高的存储密度。
铠侠的前身是东芝存储器部门，也是NAND闪存的发明者，目前与闪迪（SanDisk）合作研发生产。相比三星、SK海力士、美光等竞争对手，铠侠的BiCS技术路线独树一帜，在容量密度上表现更强。尽管层数数字上不占优势，但铠侠强调用更少的层数达到更强的性能。
铠侠的BiCS10代闪存从上一代的218层提升至332层，虽然层数数字在行业中并非领先，但据铠侠此前透露，其GB成本降低了10%以上，能效提升了10%以上，可靠性提高了35%以上。不过，关键的容量密度指标此前并未公布。
在近日的FMS（闪存峰会）上，铠侠终于公布了具体数据：BiCS10的QLC闪存存储密度达到37Gb/mm²，TLC闪存也达到29Gb/mm²，均为全球最高水平。作为对比，中国厂商的V10代TLC闪存密度为28Gb/mm²，但层数已超过400层；SK海力士的Gen9代TLC和QLC密度分别为20Gb/mm²和21Gb/mm²，层数为276层和321层。
总体而言，铠侠新一代闪存在不增加层数的情况下实现了世界最高的密度。尽管QLC和TLC闪存本身并非最顶尖的类型，但中国厂商即使将密度推算到QLC，与铠侠也仅能打个平手。铠侠用更低的层数达到更高的密度，这一成绩确实亮眼。
不过也要看到，中国厂商和SK海力士的300-400层闪存已经进入出货或样品阶段，而铠侠目前尚未完全发布新产品，量产时间也要晚一些。在竞争日趋激烈的背景下，密度差距仍可能缩小，铠侠的先发优势能维持多久，还有待观察。
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