北京
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国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司;致真存储（北京）科技有限公司申请一项名为“磁性存储器件及其制备方法”的专利，公开号CN122497286A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种磁性存储器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成牺牲层，牺牲层具有第一凹槽，第一凹槽贯穿牺牲层；在第一凹槽内形成磁隧道结叠层、第一电极层和第一介质层，磁隧道结叠层位于第一凹槽的侧面和底部，第一电极层覆盖磁隧道结叠层，第一介质层覆盖第一电极层并且填充剩余第一凹槽；去除牺牲层，暴露磁隧道结叠层的两端；至少去除磁隧道结叠层的两端，保留的磁隧道结叠层形成磁隧道结，第一电极层形成第一电极。该方法用以达到实现减少侧壁金属再沉积，改善侧壁形貌的效果。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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