北京
国家知识产权局信息显示，武汉光谷量子技术有限公司申请一项名为“一种单光子雪崩二极管的制作方法及单光子雪崩二极管”的专利，公开号CN122476703A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请涉及一种单光子雪崩二极管的制作方法及单光子雪崩二极管，制作方法包括：在晶圆表面沉积掩膜层；在掩膜层上刻蚀出隔离槽图形；基于掩膜层上的隔离槽图形，对晶圆进行ICP干法刻蚀以形成隔离槽，其中，所述ICP干法刻蚀的刻蚀温度为10~30℃；去除掩膜层。本申请通过在晶圆表面沉积掩膜层，并在掩膜层上刻蚀出隔离槽图形，基于掩膜层上的隔离槽图形进而精准的在晶圆上刻蚀出与隔离槽图形一致的隔离槽，并且，在晶圆上刻蚀隔离槽时，采用温度为10~30℃的低温刻蚀工艺进行ICP干法刻蚀，能有效抑制InGaAs 材料晶格畸变，降低位错密度，减少暗电流产生中心，使器件暗计数率降至 100counts/s 以下，能够有效克服大面积阵列探测器在45° ‑ 70°特定角度下刻蚀难度大、均匀性差的问题。
天眼查资料显示，武汉光谷量子技术有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本7283.7423万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光谷量子技术有限公司参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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