北京
国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“一种单晶硅生长过程中的液口距实时测定及其精度确定方法”的专利，公开号CN122360319A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种单晶硅生长过程中的液口距实时测定及其精度确定方法，具体方案包含如下步骤：通过相机进行数据采集，并通过导流筒下沿参考点进行测定精度验证，并选硅晶棒与熔体界面光弧下沿点为监测点，利用周期性的镜头变化对监测点与参考点进行数据的实时采集，实时验算液口距精度并计算液口距数据，保证在晶体生长过程中液口距数据测定的精确与稳定；本专利解决了现有技术中实时测定精度不佳、熔体对流对测试结果的影响过大以及受到晶棒直径变化、重量精度以及坩埚尺寸精度的影响，计算值和实际值偏差较大等问题；因此专利更适用于现在的高精晶体生长过程，且符合先进制程芯片对硅晶体生长要求。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可201个。
重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目15次，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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