铠侠正式交付332层BiCS10闪存样品：存储密度与功耗跃升

来源：智通财经网

7月3日，日本存储芯片巨头铠侠控股株式会社(Kioxia Holdings)正式宣布，已开始向各大AI数据中心运营商交付其第十代BiCS FLASH 3D闪存芯片样品。这款采用332层堆叠架构的1Tb TLC(三层单元)闪存芯片，由铠侠位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂专属生产，标志着这家前东芝存储事业部的企业，在AI驱动的新一轮存储“超级周期”中发起了关键冲锋。

就在一天前，闪迪(SNDK.US)也宣布开始向客户提供其与铠侠合作开发的BiCS10样品。两大NAND厂商几乎同步启动新一代闪存样品交付，折射出AI数据中心对高密度存储的迫切需求正将行业竞争推向新的高度。

技术突围：332层堆叠+59%密度跃升，瞄准AI算力“内存墙”

铠侠此次推出的BiCS10闪存芯片，是其技术路线图上的一次重大跨越。相比第八代BiCS FLASH，第十代产品实现了多项关键突破：

堆叠层数从218层跃升至332层，存储密度达到29Gb/mm²以上，相较BiCS8提升59%。I/O接口支持Toggle DDR6.0标准，速率最高达4800MT/s，较第八代提升33%。功耗表现同样大幅优化：输出功耗降低34%、读取能效提升30%、输入功耗下降10%、写入能效提升18%。

在技术架构上，BiCS10完整沿用了自第八代起导入的两项核心底层技术：CMOS直接键合到阵列(CBA) 和节距选通(OPS) 。CBA架构通过将存储阵列晶圆与逻辑CMOS晶圆分开制造后再键合，突破了传统单片晶圆的布线限制，大幅提升堆叠层数上限。这一成熟工艺体系的延续，意味着无需重新搭建全新产线工艺，新品量产爬坡周期将显著缩短。

铠侠在公告中表示，这批全新产品将主要集成到企业级和数据中心固态硬盘(SSD)中，旨在满足AI存储领域对高性能、大容量以及低功耗日益增长的紧迫需求。

北上Fab2：全球唯一332层量产基地的战略支点

此次样品交付的背后，是铠侠在产能布局上的前瞻性投入。位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂，是铠侠与闪迪的合资先进闪存产线，于2025年9月完成投产。该工厂是铠侠全球唯一可稳定规模化产出332层BiCS FLASH的制造基地，配备适配300mm高层闪存的沉积、刻蚀、键合全套设备，具备CBA双层晶圆键合量产能力。

Fab2工厂原规划专门承载高层数3D NAND生产，除BiCS10外，同步兼容BiCS9产品制造。工厂采用减震建筑结构，并配备最先进的节能制造设备，利用人工智能提高生产效率。根据2024年获批的计划，Fab2的产能将根据市场趋势分阶段逐步提升。

铠侠在公告中表示，全新厂房将助力提升产能，以应对AI服务商爆发式的数据存储需求。工厂将同步量产性价比突出的第九代低成本闪存芯片与第十代新品。

NAND“超级周期”：AI推理重塑存储需求范式

铠侠此次样品交付，正值全球NAND存储市场经历前所未有的结构性变革。

据Counterpoint数据，2026年第一季度全球NAND市场总营收达460亿美元，同比激增至去年同期的3.5倍，超过2023年全年水平。三星以29%的市场份额稳居第一，SK海力士以18%位列第二，铠侠以14%位居第三，美光、闪迪和长江存储均为13%，围绕全球第三的位置展开激烈竞争。

更根本的变化在于需求结构的重塑。 铠侠在6月初的投资者日上预测，2025至2028财年间，全球NAND位元需求将以22%的年复合增长率扩张，而AI推理需求年均复合增速将高达46%，占数据中心需求增量的86%。服务器已逐步超越手机成为存储需求最主要的市场。

在AI推理时代，闪存角色发生了本质变化。英伟达推出的Storage-Next架构将高性能NAND闪存定位为GPU的内存扩展层，而非简单的数据仓库。铠侠顺势推出的GP系列SSD搭载XL-FLASH技术，针对AI GPU负载进行高IOPS与低延迟优化，让闪存以DRAM的成本提供了接近内存的性能。

铠侠计划到2028财年，将数据中心与企业级客户的营收贡献占比提升至60%以上，摆脱过去对消费端市场的过度依赖。

市值登顶与股价震荡：日本“股王”的荣耀与隐忧

AI存储需求的爆发，让铠侠完成了从周期挣扎者到日本市值第一的惊人蜕变。2024年12月，铠侠在东京证券交易所上市。仅18个月后，这家存储芯片制造商便于6月12日以44.36万亿日元市值超越丰田汽车，登顶日本上市公司市值榜首。6月16日，铠侠股价收涨超4%报97,420日元，总市值达51.75万亿日元，年初至今累计涨幅高达807%。

然而，荣耀背后隐忧已现。随着铠侠及同行持续扩产，市场担忧存储芯片涨价行情难以持续。存储芯片板块近期已出现回调迹象——7月2日，美光科技收跌3.5%。与此同时，一场针对存储巨头的反垄断诉讼正在发酵：原告指控三星、SK海力士、美光自2022年起有计划地限制供应、人为操纵价格，导致DRAM价格上涨约700%。

展望：Q3价格再涨40%-50%，超级周期至少延续至2028年

存储价格的未来走势，是市场最核心的关切。据杰富瑞最新预测，2026年第三季度内存价格环比将再度大涨40%至50%，第四季度再涨30%至40%，涨势至少延续到2027年和2028年。美光高管在最新财报电话会上展示了比长期供应协议更激进的合约模式——签订16项战略客户协议(SCA)，锁定未来3至5年的销售额，采取“不买也要付钱”(Take-or-pay)的硬性绑定。

供给端的结构性受限为价格上涨提供了支撑。主要存储大厂将资本开支和晶圆产能优先倾斜于高利润的HBM(高带宽内存)，挤压了传统NAND的供应空间。大规模新增产能最早要到2027年底至2028年才能落地。

摩根大通预计，全球存储TAM将从2025年的2140亿美元飙升至2028年的1.68万亿美元。不过，高盛等投行也指出，长期协议签约量激增在历史上往往也是周期接近顶部的信号。

铠侠以BiCS10闪存样品交付为标志，正试图在AI驱动的存储“超级周期”中占据有利位置。北上Fab2工厂的专属产能、CBA/OPS成熟工艺体系、以及对AI推理场景的针对性产品布局，构成了其进攻的三大支柱。

然而，行业面临的深层矛盾同样尖锐： AI需求的爆发式增长与存储供给的结构性受限，正在将价格推至前所未有的高度;终端消费电子厂商已开始砍单，手机存储成本占整机BOM比例已超40%;反垄断诉讼、扩产争议、周期见顶的担忧，都在考验市场的信心。

铠侠管理层对此保持警惕。公司规划在2026至2028财年投入年均约4700亿日元的资本开支，虽较上一年度增长66%，但仍比历史峰值低约10%。公司目标到2028财年将50%的出货量通过多年期长期协议锁定，以换取营收的稳定性和投资的可预见性。