北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“金属层测试结构、半导体测试结构及测试方法”的专利，公开号CN122318822A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种金属层测试结构、半导体测试结构及测试方法。所述金属层测试结构包括下层结构层，其具有密集图形区及稀疏图形区，所述密集图形区或稀疏图形区设置有测试金属线，所述测试金属线的第一端位于稀疏图形区；上层金属互连层，所述上层金属互连层设置有与所述测试金属线的第一端连接的第一测试连接孔以及与测试金属线的第二端连接的第二测试连接孔；所述上层金属互连层还设置有与所述第一测试连接孔连接的第一导线以及与第二测试连接孔连接的第二导线。所述半导体测试结构包括衬底、栅极结构及上述金属层测试结构。所述测试方法包括以下步骤：构建测试通路、施加测试电压并监测电阻以及判断连接孔状态。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目647次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1716条，此外企业还拥有行政许可27个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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