北京
国家知识产权局信息显示，江西乾照光电有限公司申请一项名为“一种外延结构、制备方法和发光二极管”的专利，公开号CN122318418A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供了一种外延结构、制备方法和发光二极管，涉及发光二极管技术领域，该外延结构的三维成核层包括由多个三维岛结构合并而成的三维岛结构层，三维岛结构层包括AlN帽层和Si掺杂的GaN岛层，Si掺杂的GaN岛层包括多个GaN岛状结构，AlN帽层覆盖Si掺杂的GaN岛层。Si掺杂的GaN岛层中的掺杂Si替代GaN中的Ga位点，使得Si掺杂的GaN岛层可以在小于第一温度的第二温度下达到临界成核密度，进而可以在较低温度下实现高密度均匀成核。另外，AlN帽层的晶格常数小于Si掺杂的GaN岛层的晶格常数，可以与Si掺杂的GaN岛层协同控制GaN岛状结构的几何尺寸，避免形成巨型V-pits。
天眼查资料显示，江西乾照光电有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照光电有限公司参与招投标项目41次，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可59个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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