北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“沉积低介电常数材料的方法”的专利，公开号CN122256934A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，公开了用于在衬底的表面上形成包括低介电常数材料层的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构和器件。示例性方法包括在反应器系统的反应室内提供衬底，向反应室提供一种或多种前体，提供一种或多种反应物，包括含氮和氧反应物与含氢反应物的混合物，以及提供脉冲等离子体功率以在反应室内聚合一种或多种前体。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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