SK海力士官宣：HBM4E送样

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SK海力士已向主要客户交付了12层高的第七代高带宽内存（HBM4E）样品。继三星电子上月宣布交付12层高的HBM4E样品后，SK海力士也开始交付样品，这标志着下一代人工智能内存芯片市场的竞争已全面展开。

SK海力士18日表示，已向主要客户交付了12层HBM4E样品。HBM4E是HBM4的继任者，是一款超高性能DRAM，可提升人工智能训练和推理的数据处理性能。

SK海力士的12层HBM4E芯片样品，每引脚数据处理速度高达16Gbps（千兆比特每秒）。采用12层堆叠，容量为48GB。与上一代HBM4相比，能效提升超过20%。

HBM4E 还采用了最新的接口和设计优化。SK 海力士表示，这降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能稳定运行。该公司预计，这将提升下一代人工智能数据中心和大规模计算系统的处理效率。

在工艺方面，采用了先进的MR-MUF工艺。MR-MUF工艺是指在堆叠半导体芯片后，注入液态封装剂并进行固化，以保护芯片间的电路。SK海力士表示，与HBM4工艺相比，该工艺提高了12层堆叠结构的稳定性，并将热阻降低了约17%。

提高热阻与HBM的稳定性直接相关。在人工智能服务器和高性能计算环境中，内存需要快速处理大量数据，从而增加热负荷。在相同条件下，更低的热阻能够更有效地控制热量，确保高性能系统稳定运行。

SK海力士计划利用其在HBM3、HBM3E和HBM4的量产和供应方面的经验，根据客户需求定制供应HBM4E。该公司表示，将与主要客户合作，及时建立量产系统，并着重解决人工智能系统中的数据处理瓶颈问题。

存储器制造商之间围绕HBM4E的竞争也在加剧。三星电子上个月表示，已向全球客户交付了12层HBM4E样品。SK海力士也于当日正式宣布交付样品，预计两家公司将继续在下一代AI加速器存储器市场展开竞争。

SK海力士总裁兼首席开发官安铉表示：“我们已将业内领先的技术竞争力和量产能力融入HBM4E产品，为继续引领AI创新奠定了基础。”他还补充道：“我们将与合作伙伴携手，积极提供市场所需的价值，巩固我们作为‘全栈AI存储器创造者’的技术领先地位。”

HBM4E 竞赛愈演愈烈

随着SK海力士送样其第七代高带宽内存（HBM4E），HBM4E的竞争已正式拉开帷幕。随着下一代HBM市场向定制化市场转型，率先实现下一代HBM研发和样品出货的内存供应商极有可能获得竞争优势。

SK 海力士于 6 月 2 日在台湾台北举行的 Computex 2026 展会上，首次在其展位上公开了 HBM4E 12 层 48GB（千兆字节）的实际样品和规格。

SK海力士当天发布的HBM4E单引脚运行速度最高可达16Gbps，远超其前代产品HBM4（11.7Gbps）。该公司表示，HBM4E的数据通道数与前代产品相同，均为2048条，带宽为4.0TB/s。单颗DRAM芯片的容量为32Gb（4GB）。

SK海力士解释说，与上一代产品（带宽为2.9TB/s）相比，内存带宽提升了约38%。芯片密度提升了约33%，从而提高了集成度。通过全面引入第六代（1c）微工艺，良率似乎得到了提升。此外，在与之前相同的厚度和尺寸下，可以实现更高的容量，从而简化封装。

然而，基础芯片的具体规格并未单独披露。以HBM4为例，其核心芯片采用10纳米工艺的第五代（1b）DRAM，基础芯片则采用台积电12纳米工艺。据业内人士透露，HBM4E的核心芯片将采用10纳米工艺的第六代（1c）DRAM，逻辑芯片则采用台积电最先进的3纳米工艺。

此前，SK 海力士在第一季度电话会议上就 HBM4E 样品表示：“我们内部计划在今年下半年提供样品”，但业内人士认为样品供应计划已提前至 6 月或 7 月左右。

三星电子在 2026 年英伟达 GTC 大会上首次发布了第七代高带宽内存 (HBM4E)，该大会于 3 月 16 日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣何塞开幕。

与此同时，三星电子在台湾台北国际电脑展（Computex）上首次公开了HBM5（第八代高带宽内存）的实体模型，并宣布已于5月向全球客户首次交付了48GB的HBM4E 12层样品。与前代产品相比，容量提升超过30%，三星计划根据客户需求，将容量扩展至32GB（8层）和64GB（16层）。此前，三星电子曾在3月于美国圣何塞举行的英伟达GTC 2026大会上预发布了HBM4E的实体样品。

根据三星电子公布的 HBM4E 规格，每个引脚的最大运行速度为 16Gbps，基于单个堆栈可提供每秒 3.6TB（太字节）的带宽。

与前代产品一样，核心芯片采用了1c DRAM和三星电子代工厂生产的4纳米逻辑芯片。通过低功耗设计和封装结构优化技术，与前代产品相比，能效提升了16%，热阻特性降低了14%以上。

美光预计最迟将于今年下半年交付HBM4E样品。美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚(Manish Bhatia)在5月份由摩根大通主办的全球技术、媒体和通信大会上表示：“HBM4E的研发进展顺利，我们预计将在2027年实现产能提升（逐步扩大产能）。”

据业内人士透露，美光将像三星电子和SK海力士一样，在HBM4E中使用1c DRAM，并且使用台积电作为基础芯片，而不是自行生产。

随着下一代HBM市场范式迅速向定制化转变，样品发货的时机也对抢占市场先机产生重大影响。这意味着，率先提供样品以快速开展性能验证和优化工作，可以使公司在订单分配中占据优势地位。

HBM4E 将被搭载于英伟达的下一代 AI 芯片 Rubin Ultra 中。Rubin Ultra 预计每颗 GPU 将配备 384GB 的 HBM，这意味着它将包含 8 颗 48GB 的 12 层 HBM4E 芯片。而使用上一代 HBM4 的 Vera Rubin 芯片则通过集成约 8 颗 36GB 的 12 层 HBM4 芯片，实现了 288GB 的显存容量。

由于内存使用量比上一代产品更大，抢占市场份额的竞争也日趋激烈。据业内人士透露，基于HBM4的芯片中，SK海力士已占据60-70%的市场份额，三星电子占25-30%，美光占10-15%。

台湾市场研究公司TrendForce评估认为，“进入今年第二季度，主要买家和供应商之间的谈判重心已转向HBM4供应合同，HBM4将在明年成为市场主流。”该公司补充道，“这一转变清晰地表明，在市场周期趋紧的情况下，三星电子和SK海力士正在加速HBM4和HBM4E的研发。”由于HBM市场具有高度定制化的特点，先发优势在确保销量和价格领先地位方面具有先发优势，因此各公司正在加快下一代产品的研发和出货速度。

（来源：编译自chosun ）

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