四川
长鑫科技IPO获准注册，募资规模有望达到295亿元，再次验证了半导体存储板块高景气度。科创芯片设计ETF天弘（589070.SH）跟踪科创芯片设计指数，重点布局产业核心环节，在国产替代与AI需求共振下，具备较高配置价值。
6月12日，证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票注册，标志着国产DRAM龙头正式登陆资本市场。此次IPO拟募资295亿元，是今年以来A股最大规模IPO，募集资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造等项目。这一事件不仅是资本市场的重要里程碑，更从供需结构层面验证了半导体行业的复苏周期。广发基金分析指出，半导体行业已迈入上行周期初期，核心标的估值有望迎来重估。科创芯片设计ETF天弘（589070.SH）作为跟踪科创芯片设计指数的标准化工具，能够有效映射国产半导体产业链升级的逻辑。
存储景气度：业绩爆发验证行业上行周期
1、龙头企业业绩显著增长，验证行业高景气。金元证券研报显示，长鑫科技2026年第一季度实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；实现归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%，业绩爆发式增长反映了存储市场的强劲需求。
2、存储价格持续上行，供需格局紧张。光大证券研报指出，2026年一季度DRAM合约价环比上涨90%~95%，受AI算力需求拉动，预计二季度DRAM合约价将继续环比上涨58%-63%，存储芯片景气度显著高于其他细分领域。
3、行业整体复苏，销售规模创新高。行业研报数据显示，2026年第一季度全球半导体销售额达2985亿美元，环比增长25%，其中中国半导体销售额同比增长约60%，行业整体进入复苏通道。但需指出的是，存储产业本身带有较强周期属性，历史价格波动较大，投资者需关注周期拐点风险。
融资扩产：资本开支拉动产业链协同发展
1、募投项目落地，加速技术迭代。中山证券研报显示，长鑫科技此次募资将投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目及DRAM存储器技术升级项目，项目达产后将形成覆盖多代际DRAM产品的规模化量产能力。
2、产业链联动效应显著，拉动上游需求。国盛证券研报分析指出，长鑫科技与长江存储相继冲刺科创板，标志着国内存储半导体自主化进程迈入重要新阶段，扩产进程提速将大幅提振境内洁净室及上游设备材料需求。
3、国产替代空间广阔，自主可控加速。行业研报数据显示，目前DRAM市场仍由三星、海力士、美光等外资垄断，合计占全球市场90%以上份额，长鑫科技全球市场份额虽已增至7.67%，但国产替代仍有巨大提升空间。但需指出的是，半导体行业技术迭代迅速，研发投入巨大，仍面临技术升级迭代及市场竞争加剧的风险。
估值重塑：龙头效应提振板块配置价值
1、核心资产上市，提振市场情绪。市场分析认为，头部存储企业上市将进一步推动国产化进程，依托AI算力扩容、成熟制程建设双重驱动，核心资产有望迎来估值系统性重估机遇。
2、板块业绩兑现，消化估值压力。行业研报数据显示，数字芯片设计板块2026年第一季度实现归母净利润173.56亿元，同比增长517.74%，销售净利率提升至25.38%，盈利能力显著增强为估值修复提供了基本面支撑。
3、政策与周期共振，配置价值凸显。东北证券研报指出，在AI服务器部署加快的背景下，存储超级周期延续，国产大模型需求旺盛，供需缺口扩大，半导体设备与设计环节业绩能见度较高。但需指出的是，国际贸易摩擦及供应链风险仍可能对行业短期表现造成扰动。
长鑫科技IPO的推进与业绩爆发，深刻揭示了存储行业的景气上行趋势与国产替代的加速进程。科创芯片设计ETF天弘（589070.SH）通过跟踪科创芯片设计指数，布局产业链核心环节，为投资者提供了参与半导体产业成长的资产配置工具。然而，投资者仍需警惕技术研发不及预期及行业周期性波动带来的潜在风险。
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