北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN122121146A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储系统，其中，半导体器件包括第一半导体结构；第一半导体结构包括在第一方向上延伸的第一半导体柱；以及位于第一半导体柱在第二方向上一侧的第一介质层和栅极结构，第一介质层与栅极结构在第一方向上堆叠排布，且栅极结构与第一介质层均在第三方向上延伸；第二方向与第三方向相交，且均与第一方向垂直；其中，栅极结构包括在第一方向上依次排布的第一导电层和栅极层，第一导电层位于栅极层与第一介质层之间。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1440次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1007个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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