北京
国家知识产权局信息显示，硅来半导体（武汉）有限公司申请一项名为“碳化硅晶圆的裂片方法、系统及碳化硅晶圆的制造方法”的专利，公开号CN122094425A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开一种碳化硅晶圆的裂片方法、系统及碳化硅晶圆的制造方法。该裂片方法包括以下顺序执行的步骤：预裂步骤：对已完成内部激光改质层扫描的碳化硅晶锭，通过第一超声场引导并延展改质层内的微裂纹；成面步骤：采用第二超声场将经延展的裂纹在改质层平面内连接贯通，形成连续的分离界面；分离步骤：施加分离作用力，使晶圆沿连续的分离界面与晶锭本体分离。本申请技术方案通过引导延展－连接成面－温和分离的三步法，实现超声能量的分步精准施加，能够有效降低晶圆崩边与微裂风险，提高晶圆分离良率。
天眼查资料显示，硅来半导体（武汉）有限公司，成立于2024年，位于武汉市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本155.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，硅来半导体（武汉）有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息3条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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