长鑫科技加速国产替代：DRAM扩产浪潮重塑中国半导体供应链

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　　在全球半导体产业新一轮上行周期中，长鑫科技集团股份有限公司已成为中国大陆DRAM领域扩张势头最为强劲的代表性企业。根据其于2026年5月17日更新的科创板IPO招股说明书，该公司在2026年第一季度实现营业收入508亿元人民币，归属于母公司股东的净利润为247.6亿元，并预计上半年归母净利润将在500亿至570亿元区间内。横向对比来看，同期韩国SK海力士存储业务营收约为2700亿元人民币，三星电子相关业务则达3800亿元人民币。由此可知，长鑫科技单季度营收规模已接近SK海力士的五分之一，展现出极强的成长势能与市场竞争力。

　　从业务定位出发，长鑫科技与SK海力士高度相似，均属于以DRAM为核心产品的垂直整合制造商（IDM），覆盖芯片设计、晶圆制造及封装测试全链条。区别在于，SK海力士约三成收入来自NAND闪存，而长鑫科技目前专注于纯DRAM业务路径。这种聚焦策略使其在细分赛道中快速积累技术能力与量产经验，逐步确立起“中国海力士”的行业形象。在全球长期由三星、SK海力士与美光主导的存储格局中，长鑫科技是近十余年来最具成长潜力与现实威胁的新锐力量。

　　DRAM芯片制造流程极为精密复杂，涵盖数百道工序，包括刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光（CMP）、清洗、检测等关键环节，每一环节均需匹配专用设备与高性能材料。招股书显示，长鑫科技已完成从DDR4到DDR5的全系产品升级，毛利率亦由两年前的负值（-112%）跃升至40%以上。这一结构性转变的背后，是其供应链体系日趋成熟所给予的坚实支撑。行业资深工程师蒋彬指出，长期以来，国产设备厂商面临的核心瓶颈并非技术储备不足，而是缺乏在真实量产环境中进行充分验证的机会；而长鑫科技与长江存储持续的大规模扩产计划，恰恰为上游设备企业提供了不可多得的产业化试验场。

　　在DRAM产线资本开支结构中，刻蚀与薄膜沉积设备合计占比约50%，位居首位；光刻设备紧随其后；量测检测设备约占总支出的12%–15%。尽管应用材料、泛林集团、东京电子等国际巨头仍占据全球主导地位，但国产设备在国内存储产线的渗透率正快速提升。据产业链人士透露，长鑫科技当前国产设备整体占比已达四至五成；长江存储武汉三期工厂的国产设备采购比例更超过一半，其中核心工序国产化率已突破60%。不过，各环节进展并不均衡：CMP与清洗设备国产化程度较高；刻蚀与薄膜沉积正处于高速渗透阶段；而量测检测、涂胶显影等环节仍是国产替代的薄弱地带，亦是未来重点攻坚方向。

　　刻蚀设备的技术门槛尤为突出，其核心性能指标“深宽比”直接决定电路微结构的精度极限。北方华创作为国内产品谱系最广的设备厂商，2025年刻蚀与薄膜沉积设备收入双双突破百亿元，立式炉与PVD设备交付量均超1000台。中微公司则在超高深宽比刻蚀领域取得重大突破，其自主研发设备已有300余台反应器投入量产，下一代90:1低温刻蚀机及第二代ICP刻蚀设备分别实现90:1与140:1的刻蚀成果——这意味着可在纳米级宽度沟槽中完成近百倍乃至百四十倍深度的精准加工，已具备支撑最新一代DRAM量产的能力。

　　薄膜沉积方面，拓荆科技表现抢眼。2026年一季度，公司营收达11.12亿元，同比增长57%；归母净利润5.71亿元，成功实现扭亏为盈。2025年全年，其PECVD设备收入51.42亿元（+75%），ALD设备收入3.01亿元（+192%）。国家集成电路产业投资基金三期首个产业投资项目即投向其子公司拓荆键科，聚焦先进键合设备研发。此外，华海清科于2026年4月交付第1000台CMP设备，占据国产CMP市场九成以上份额；精智达自主研发的高速FT测试机速率高达每秒90亿比特，超越日本爱德万主力机型，并于年初斩获13.11亿元大额订单，覆盖DRAM与HBM全流程测试。

　　随着产能持续扩张，设备采购需求迎来爆发期。据悉，长鑫科技已于2026年第二季度启动新一轮设备招投标，全年计划新增晶圆产能5万至6万片，对应设备采购金额预计达350亿至430亿元。叠加IPO募投项目中明确列支的220.66亿元设备购置及安装费用，以及长江存储2号厂房同步开启的工艺设备招标，国内两大存储龙头已共同步入设备采购高峰期，为国产设备厂商带来历史性机遇。

　　材料端的国产化进程同样提速明显。长鑫科技2025年原材料采购总额约114.7亿元，其中化学品占比最高（37.29%），其次为光阻剂（12.16%）、硅片（8.55%）及电子特气（5.10%）。前驱体作为ALD/CVD工艺的关键原料，在DRAM电容器制造中用量巨大，且随工艺迭代呈上升趋势。雅克科技作为国内该领域领军企业，其江苏工厂前驱体国产化项目已完成客户端验证，进入批量试生产阶段。安集科技一季度营收创历史新高，多款钨基抛光液已在先进制程中稳定上量；电子特气方面，华特气体、金宏气体等瓶装气供应商加速渗透，广钢气体、正帆科技等也在大宗现场制气领域稳步推进。

　　值得关注的是，国产化导入已切实转化为成本优势。以2023年为基准，至2025年，长鑫科技硅片采购单价下降约30%，靶材下降约22%，备件降幅接近47%，化学品采购成本亦降低约26%。公司在招股书中明确将“加大国产供应商导入力度”列为降本增效的重要举措，旨在同步强化供应链韧性与成本竞争力。

　　业内普遍认为，制约国产设备与材料发展的根本症结，在于缺乏规模化量产验证场景。深圳某存储企业市场负责人周勇辉指出，这曾形成典型的“双循环困境”：因缺少头部客户订单，企业难以持续投入研发；研发不足又导致产品性能难以达标，进而进一步失去订单机会。长鑫科技与长江存储凭借其标准化制造平台与稳定扩产节奏，实质上构建了一个高效可靠的国产化验证闭环。由于存储芯片工艺平台高度统一，一旦设备或材料在某一代平台上完成验证并导入，后续产能复制即可快速铺开，极大缩短商业化周期。

　　数据显示，长鑫科技当前量产的第四代平台国产设备参与度尚不足20%，但正在开发的新一代平台，国产化比例有望跃升至40%以上。这意味着，未来每新增1万片月产能，国产设备厂商所能获得的订单份额将是此前的两倍左右。截至2025年底，公司月产能约为28万至29万片12英寸晶圆，而要满足国内市场需求，目标产能需提升至80万片，中间存在约50万片的巨大缺口。按照行业惯例，每新增1万片月产能需配套约70亿元设备投资测算，潜在设备总投资规模可达数千亿元。若新一代平台国产化率如期突破40%，仅IPO募投中的220亿元设备预算，就将为国产设备企业带来近百亿元订单增量。

　　据Omdia预测，全球DRAM市场规模将由2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，年均复合增长率超30%。在此背景下，长鑫科技2026年一季度全球市场份额已达9.7%，相较2025年二季度的3.97%实现跨越式提升。公司亦在招股书中强调“发挥产业链链主引领作用”，致力于推动供应链本土化、多元化发展。可以预见，随着长鑫科技产能持续攀升与国产化率稳步提高，整个中国半导体设备与材料产业将迎来前所未有的结构性发展机遇。

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