山东
近日，中天晶科宣布，继8英寸碳化硅晶体后，公司已成功突破12英寸碳化硅单晶生长技术。
来源：中天晶科
回顾技术攻坚历程，2022年10月，中天晶科首块8英寸碳化硅晶体成功问世；历经三年技术深耕，2025年3月，公司首块12英寸碳化硅晶体成功出炉，实现大尺寸碳化硅材料的跨越式升级。
碳化硅是新能源汽车、5G通信、轨道交通等国家战略新兴产业的关键基础材料。近年来，随着新能源汽车、光伏储能等清洁能源、5G通讯及高压智能电网等产业的快速发展，满足高功率、高电压、高频率等工作条件的碳化硅基器件的需求也突破式增长。同时，人工智能、AR眼镜等新兴领域的崛起，进一步凸显了碳化硅高频、高功率、耐高温的性能优势，为碳化硅材料开辟了新的应用赛道，市场需求持续扩容。
碳化硅衬底作为第三代半导体的基石，其尺寸与品质直接决定了产业链的性能上限与成本空间。尺寸越大，单片晶圆可产出的芯片数量越多，降本增效效果越显著。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，既能提升产能规模，又能降低单位芯片成本，提升产业经济效益，为碳化硅材料规模化、普及化应用筑牢基础。
当前全球碳化硅市场中，6英寸产品仍为商用主流，8英寸产品正加速产业化落地。在此背景下，12英寸碳化硅晶体的集中技术突破，标志着全球第三代半导体产业迈入关键转型节点。此前，天岳先进、晶盛机电、晶越半导体、天成半导体、科友半导体、合盛硅业、南砂晶圆、环球晶圆、烁科晶体等多家行业企业，已相继宣布在12英寸碳化硅单晶、衬底研发领域取得重大进展。
据悉，中天晶科宁波晶体材料有限公司（CECS）成立于2019年11月，由华达半导体有限公司（中国电子集团子公司）投资设立，注册资本为4.7亿元人民币，致力于宽带隙半导体材料的开发与生产。公司主要专注于大型高性能碳化硅材料和外延材料的研发、生产和销售，产品广泛应用于电动汽车、新能源、柔性电网、工业设备、家用消费电子设备及其他领域。
来源：中天晶科
值得关注的是，晶圆尺寸扩容会导致晶体内部应力控制与缺陷管理难度呈几何级上升，这是全球碳化硅领域共同面临的技术难题。中天晶科研发团队历经多轮严苛技术攻关，成功突破大尺寸晶体生长核心壁垒。此次12英寸碳化硅晶体研发成功，依托公司核心设备自主研发+工艺技术持续创新双轮驱动模式，通过自主设计制造专用长晶设备，实现设备与工艺深度适配，为大尺寸晶体稳定、高质量生长提供了坚实技术保障。
参考来源：中天晶科
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