北京
国家知识产权局信息显示，山西天成半导体材料有限公司取得一项名为“带有提拉旋转机构的碳化硅单晶生长真空加热炉”的专利，授权公告号CN224212823U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种带有提拉旋转机构的碳化硅单晶生长真空加热炉，属于碳化硅单晶生长技术领域，包括炉体、上法兰和提拉旋转机构，上法兰安装于炉体的顶部，提拉旋转机构安装于上法兰的顶部，提拉旋转机构主要由导向柱、移动平台、传动螺杆、磁流体密封装置、提拉旋转管、第一驱动电机和第二驱动电机组成。本实用新型通过优化加热器固定方式，实现了加热器在炉体内的稳定均布设置，保证了炉体内的均匀加热。本实用新型通过创新上法兰与提拉旋转机构的结构构造，将上法兰与提拉旋转机构设计为一体式结构，从而确保了提拉旋转机构精确控制坩埚的垂直升降与旋转。本实用新型真空加热炉的创新性设计提高了真空加热炉的整体性能和工作效率。
天眼查资料显示，山西天成半导体材料有限公司，成立于2021年，位于太原市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1333.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，山西天成半导体材料有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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