为英伟达Vera Rubin定制：SK海力士宣布量产192GB SOCAMM2内存

2026年4月20日，SK海力士宣布，其已启动192GB SOCAMM2内存的规模化量产工作。该产品基于1cnm先进工艺（即SK海力士第十代纳米级技术中的第六代工艺），采用LPDDR5X内存规格打造而成。

SOCAMM2是一款基于LPDDR架构研发、专门面向AI服务器场景优化的高端内存模组。其兼具轻薄外形与高扩展性，创新的压缩式接口不仅能显著提升信号传输完整性，还能大幅降低模组更换的难度，提升维护效率。这一设计理念精准契合了AI服务器对空间利用率、维护便捷性的严苛诉求，为数据中心的高密度、高可靠性部署提供了理想的内存解决方案。

在核心性能表现上，SK海力士明确表示，本次量产的1cnm工艺SOCAMM2产品，内存带宽较传统RDIMM内存提升一倍以上，功耗效率优化超75%，能够有效降低AI系统高负载运行状态下的整体能耗，同时大幅提升数据读写与处理效率，为AI任务的高效推进提供有力支撑。

SK海力士进一步指出，这款SOCAMM2产品是专为英伟达Vera Rubin平台量身定制设计的，能够从根本上破解千亿级参数大语言模型（LLM）在训练与推理过程中面临的内存瓶颈难题，进而在大幅提升整体系统处理速度、缩短任务周期方面发挥关键支撑作用。这种深度定制化适配，充分体现了SK海力士与英伟达在人工智能硬件生态领域的紧密协作与深度协同，为双方后续合作奠定了坚实基础。

当前，随着人工智能技术的迅猛迭代演进，尤其是生成式AI与大型语言模型（LLM）的规模化应用，内存的容量、带宽以及功耗表现，已成为制约AI系统性能提升的核心瓶颈。传统RDIMM等内存架构在应对海量参数计算场景时，往往难以兼顾高吞吐量与低功耗的双重需求，进而导致AI模型训练周期延长、推理延迟增加，制约了AI技术的落地效率。

SOCAMM2的成功量产，正是SK海力士针对这一行业核心痛点推出的精准突破方案。它以LPDDR5X内存为核心基础，借助1cnm先进工艺实现内存集成度的大幅提升，不仅将单模组内存容量提升至192GB的高规格，更在信号传输稳定性与扩展性上实现了质的飞跃，全面超越传统内存模组。

总的来看，SK海力士192GB SOCAMM2内存的正式量产，标志着其在高端服务器内存领域的领先地位得到进一步巩固和提升。该产品不仅为英伟达Vera Rubin平台提供了强有力的内存硬件支撑，更将有效加速千亿级LLM的商业化部署进程，推动AI技术从实验室走向实际应用。

预计这款产品将进一步推动人工智能基础设施的升级换代，帮助企业及研究机构以更低的能耗成本、更快的任务速度完成复杂AI模型的训练与优化，最终加速AI技术与各行业的深度融合，赋能产业数字化转型。

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