随着2D NAND谢幕，联电困境重重

联华电子（UMC）可能获得SLC和MLC闪存的代工订单，但人才、工艺整合与开发能力以及设备这三大关键制约因素仍未得到解决。

全球退出2D NAND闪存生产已不再是可能性，而是逐渐成为必然。随着主要存储器制造商退出该领域，供应趋紧导致低容量芯片价格飙升。近期市场传闻表明，联华电子（UMC）可能获得SLC和MLC闪存的代工订单，如果这一消息成真，可能会扰乱日益集中的供应格局。

然而，业内高管告诉 DIGITIMES ，这种转变面临着巨大的挑战。尽管近几个月来，双方已就闪存代工合作的潜在机会进行了磋商，但人才、工艺整合与开发能力以及设备这三大关键制约因素仍未得到解决。

价格飙升

自2026年初以来，NAND闪存价格一路飙升，涨幅甚至超过了DRAM。传统MLC和SLC NAND的供应缺口尤为严重，导致采用旧工艺节点制造的小容量产品价格飙升至此前水平的近十倍。下游企业报告称，仅MLC NAND的价格在4月份就上涨了约30%。

在此背景下，有报道称亚洲客户已与联电接洽，寻求闪存代工服务，这加剧了市场猜测。随着MLC和SLC NAND闪存价格飙升，闪存代工业务至少从账面上看，似乎比成熟节点的逻辑芯片制造更具盈利潜力。

尽管如此，经济效益却并非如此简单。现有的制造设备无法简单地重新利用；重新配置生产线或购置新设备可能需要一到两年的时间。鉴于目前二维NAND闪存供应缺口的规模，这些努力在短期内对缓解短缺收效甚微。

更深层次的挑战在于结构性问题。潜在的知识产权授权方和NAND闪存制造商并不反对合作，但成功的技术转让需要经验丰富的生产商提供实际操作支持。而这种专业技术如今十分稀缺。曾经专注于调校2D NAND设备的工程师大多已经退休、离开行业或转行到3D NAND领域。与此同时，存储器制造商正优先开发先进的3D NAND以满足人工智能服务器的需求，几乎没有剩余产能来支持传统技术。

联电自身也面临着巨大的学习挑战。尽管多年前就已投资于存储器相关研发，且目前仍拥有可用的晶圆厂空间，但其核心竞争力已与存储器制造分道扬镳。重建工艺优化和良率管理能力需要大量的时间和资金。如果联电无法独立协助客户进行工艺开发和集成，任何代工合作都将收益有限。

设备是另一个瓶颈。国际制造商使用的许多老旧设备在过去的升级改造中已被出售或拆除。即使能够找到旧设备，备件和维护方面的专业知识也越来越难以获得。铠侠指出，2D NAND 等产品的停产并非由于产能转向人工智能，而是由于维护老旧设备的高昂成本和运营挑战。

如果联电要用新设备重建产能，它将面临截然不同的生产环境，需要进行新一轮的试验和研发。这给投资回报带来了很大的不确定性。虽然集成电路设计公司对这类合作表现出浓厚的兴趣，但它们对晶圆厂级制造的了解有限，这进一步增加了合作的复杂性。就目前而言，短期内通过技术转让实现二维NAND闪存的大规模代工生产似乎不太可能。

UMC的价格调整

联电拒绝就市场传闻置评。但该公司已通知客户和合作伙伴，计划于2026年下半年上调产品价格。联电表示，通信、工业、消费电子和人工智能相关应用领域的需求依然强劲，但原材料、能源和物流成本也在不断上涨。

据供应链消息人士透露，此次价格调整将同时适用于8英寸和12英寸晶圆。基于约三个半月的生产周期，预计4月份的订单将反映新的价格。8英寸晶圆的价格涨幅可能在10%至15%之间，而采用80nm、55nm和40nm等工艺节点的12英寸晶圆的价格涨幅可能在5%至10%之间，具体涨幅取决于客户的订单规模。

由于此次涨价在很大程度上抵消了成熟工艺节点此前的价格下降，而且一些芯片制造商已经签订了长期协议，因此短期影响预计有限。然而，随着时间的推移，更高的成本很可能会转嫁到供应链的各个环节。

AI压缩技术无法缓解内存短缺，NAND闪存短缺问题仍将持续。人工智能驱动的需求正在加剧全球内存供应紧张，导致NAND闪存和服务器DRAM出现短缺、价格上涨和产能受限的情况。预计到2026年，服务器内存需求将增长超过40%，占总存储使用量的一半以上。

尽管有人担心谷歌的TurboQuant压缩技术可能会抑制需求，但业内高管表示，这种影响被夸大了。群联电子CEO潘锦燮预计NAND闪存短缺的情况将持续，不会缓解。

大普商店CEO杨亚飞表示，人工智能推理工作负载正呈指数级增长。虽然效率提升可能会缓解部分供应链的压力，但部署成本的降低预计将推动更广泛的应用和更高的总体需求。阿里云Qwen LLM高级产品解决方案架构师李斌表示，压缩可以减少单个任务的使用量，但无法抵消模型上下文和推理规模的快速扩张，这持续推高整体存储需求。

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