北京
国家知识产权局信息显示，浙江翠展微电子有限公司申请一项名为“一种沟槽型MOSFET结构的制造方法”的专利，公开号CN121865649A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种沟槽型MOSFET结构的制造方法，其通过在N型衬底并形成p型体区，在p型体区上通过单次光刻刻蚀形成第一绝缘层中的第一开口，在第一开口侧壁形成绝缘侧墙后。利用所述第一绝缘层与所述绝缘侧墙构成自对准结构实现所述源极区域的自对准注入，同时复用该结构刻蚀出所述沟槽并形成所述栅极。利用保留的所述绝缘侧墙和所述第三绝缘层再次构成自对准结构刻蚀所述源极接触孔，避免光刻偏移在小间距下仍能保证精确对位，自对准工艺省去了多次掩膜与光刻步骤，显著缩短制造周期并降低成本，实现了亚微米级沟槽MOSFET的高精度制造。
天眼查资料显示，浙江翠展微电子有限公司，成立于2020年，位于嘉兴市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5981.2606万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江翠展微电子有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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