北京
国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种酸腐蚀后硅片的清洗方法”的专利，公开号CN121865869A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种酸腐蚀后硅片的清洗方法，包括以下步骤：1)使用碱液清洗硅片1～10min，清洗温度50～80℃，得到第一硅片；2)纯水常温超声清洗第一硅片，溢流量为5～15L/min，清洗时间3～8min，得到第二硅片；3)酸液常温清洗第二硅片3～8min，得到第三硅片；4)纯水常温超声清洗第三硅片，溢流量为5～15L/min，清洗时间3～8min，得到第四硅片；5)甩干第四硅片。通过使用特定国产药液，结合与其性能高度适配的定制化工艺条件，不仅可实现与国外同类药液相当的洗净效能，还能显著降低洗净温度、有效缩短洗净周期、减少药液用量，在保障核心洁净指标达标的基础上，同步提升生产环节的综合效能。
天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可89个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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