安徽
2026年4月9日，国防科技大学与中科院金属所合作在《国家科学评论》发表一项关键突破：他们利用液态金/钨双金属薄膜作为衬底，通过化学气相沉积成功制备出晶圆级单层WSi₂N₄薄膜——一种高性能P型二维半导体。这一进展意义重大。长期以来，二维材料领域“N型多、P型少”，严重制约CMOS电路的构建。过去P型材料仅能生长出几微米碎片，掺杂难控、稳定性差，根本无法用于实际芯片制造。
而此次成果不仅将畴区尺寸提升至亚毫米级，生长速率较文献提高约千倍，掺杂浓度还能在5.8×10¹²至3.2×10¹³ cm⁻²范围内精准调节，且材料抗氧化、散热好，具备产线兼容潜力。这并非偶然。自2011年起，西方对华实施高端半导体设备与材料封锁，EUV光刻机等核心装备禁运。但中国科研人员转而深耕后摩尔时代新路径——二维半导体正是其中关键方向。如今P型短板被补上，意味着全二维CMOS集成真正成为可能。
当然，从实验室到量产仍有距离。论文验证的是4英寸晶圆级生长，工业化还需攻克良率、均匀性及与现有工艺整合等难题。但优势在于全链条自主：没有现成设备？就改造或自研；没有成熟方案？就一炉一炉试参数。正如一位工程师曾感慨：“材料不稳，再好的电路设计都是空谈。”这项突破背后，是无数个深夜调试、反复失败的积累。
没有豪言壮语，只有屏幕前紧盯数据的身影和一句“卡了就再调”。正是这种沉静而坚韧的科研日常，让中国在封锁中走出新路。若未来该材料实现低功耗、高开关比的芯片应用，不仅可缓解算力瓶颈，更将重塑全球半导体竞争格局。历史一再证明：真正的技术自主，从来不是等来的，而是一步一步“长”出来的——从原子开始，到晶圆，再到大国底气。
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