三星电子一季度利润超去年全年，涨价潮推高三巨头

市场预测三星电子第二季度及下半年的业绩也将保持高速增长，年度营业利润可能接近320万亿韩元

文｜《财经》研究员 周源

编辑｜谢丽容

4月7日，韩国三星电子（005930.KS）发布2026年一季度未经审计业绩指引。数据显示，公司当季预计实现销售额约133万亿韩元（约合6078.1亿元人民币），同比增长68.1%，环比增长41.7%；营业利润约57.2万亿韩元（约合2611亿元人民币），同比激增755%、环比增长185%，二者均为对应业绩区间的中间值。

这是三星公司上市史上首次单季营收突破100万亿韩元，且单季利润超过了2025年全年总额（43.6万亿韩元）。

虽然另一家韩国公司SK海力士曾在2017年三季度也创下了单季营业利润超全年水平的历史纪录，但当时SK海力士营收规模远低于三星，单季利润为3.74万亿韩元。

从全球来看，年销售额超过100亿美元（15万亿韩元）的公司中，仅有两家美国公司在单季度实现超过全年营业利润的业绩：亚马逊（2023年四季度）和英伟达（2023年二财季，即2023年5月-7月）。

此次三星业绩爆发核心驱动力来自存储芯片需求暴增。三星电子是全球半导体龙头，存储芯片更是三星核心主业之一。过去十余年间，全球存储芯片市场始终被三星、SK海力士与美国美光科技三家厂商所垄断，合计市占率超95%，三星存储芯片营收规模则长年稳居存储三巨头之首。

自2025年二季度起，人工智能（AI）浪潮引爆存储芯片需求，行业陷入结构性紧缺并开启了一轮史无前例的涨价狂潮。DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器，是计算机、手机、服务器等电子设备中最核心的一种临时数据存储器）内存价格接连跳涨并已刷新历史高位，涨价效应迅速传导至NAND闪存（SSD固态硬盘里的核心存储芯片，它决定了硬盘的容量和速度）、SSD固态硬盘等全品类，带动整个存储市场价格全线走高。此前国内外多家分析机构及行业从业者均判断，此轮存储超级周期将持续到2027年（更多信息详见《》）。

作为存储芯片龙头，三星受益存储超级周期理所当然，但这份财报还是远超预期。此前，伦敦证券交易所集团汇总29位分析师预期，认为三星电子一季度利润在40.5万亿至40.6万亿韩元之间，花旗银行预测最乐观，为51万亿韩元，三星官方指引则高于所有机构预测。

这是因为，存储芯片在2026年一季度的涨幅也远超预期。全球知名的半导体市场研究机构TrendForce集邦咨询在2026年1月曾预测，一季度DRAM合约价涨幅55%-60%，NAND闪存价格上涨33%-38%。但到了3月中下旬，该季度修正数据，即更新后的、更贴近实际情况的最终数据显示，一季度DRAM合约价格环比上涨幅度高达90%-95%，NAND闪存价格同步上涨55%-60%。远超此前预测。

存储芯片价格分为合约价和现货价两种：头部大型电子制造企业依托规模化采购优势，主要向存储芯片原厂（主要是SK海力士、三星电子、美光科技）直接订货，或通过原厂授权代理商拿货，结算价即合约价，通常季度更新；而数量众多的中小微电子设备企业，因采购规模小、需求灵活且分散，大多从现货交易市场采购，拿货价格也以随行就市的现货价为准。

TrendForce集邦咨询旗下的半导体研究中心（DRAMeXchange）在2019年发布的一份研究报告称，现货市场交易量仅占整个存储芯片市场规模的10%左右，有分析人士认为，近年来由于该市场客户结构变化，现货交易市场的占比应不到10%。因此，合约价才是真正决定行业主流成交价格、反映存储芯片长期供需关系的核心指标。

综合行研机构和行业人士观点，无论是三星季报，还是大幅上调的合约价，反应了2026年一季度存储芯片市场发生的一些超预期的重要动向。

其一，HBM4对产能的挤占超出预期。

HBM4即第四代、也即最新一代高带宽内存，适用于英伟达最新Rubin架构和AMD instinct 系列芯片。2025年末，业界普遍预测认为三星和海力士会平稳升级到HBM4，但实际一季度期间，英伟达与AMD为争夺下一代 AI芯片市场份额，不惜重金抢定三星和SK海力士的HBM4产能。英伟达创始人黄仁勋今年3月公开表示“只要内存厂商能造出来（HBM4），英伟达就会全部买下”。

据外媒报道，2026年一季度，原本计划用于生产DDR5（第五代DDR5）的晶圆被强制转产HBM4，造成DRAM内存进一步供需失衡。

其二，SSD固态硬盘需求爆发。

NAND的超预期上涨主要是由企业级SSD固态硬盘驱动的。集邦咨询数据显示，随着全球AI训练从“文本”转向“原生多媒体/视频”，一季度企业级SSD（eSSD，用在数据中心、服务器里的“高性能、更耐用”的固态硬盘）价格环比上涨 53%-58%，创单季涨幅纪录，直接拉高了NAND全线产品的合约价格。

其三，侧面印证恐慌性备货的存在。

今年2月，三星电子官宣已量产全球首款HBM4内存芯片。这款芯片的存储单元用了三星自家最先进的1c纳米工艺，控制部分则用了4纳米工艺，性能大幅提升。之后据多个国际媒体报道，戴尔、惠普、联想这三大PC巨头为防止在二季度陷入“无货可卖”的境地，在今年2月纷纷启动“锁价”机制，建议客户在2月28日前下单以锁定当前价格，同时加大对存储芯片的备货力度。与此同时，三大存储芯片原厂三星、SK海力士、美光也同步收紧订单审核，以应对部分客户超额下单可能带来的市场波动。

这一轮集中采购进一步加剧了供需紧张，推动一季度合约价涨幅大幅上修至历史新高。

二季度存储合约价仍将一路上扬。根据TrendForce集邦咨询预测，因存储原厂积极将产能转向HBM、服务器应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，预计2026年二季度DRAM合约价格仍将增长58%-63%。NAND闪存合约价将季增70%-75%。

3月下旬，国内DDR4现货价一度下跌超过30%，有资深贸易商向《财经》反映了他们感知到的国内DDR4现货供需变化（更多信息详见《。

但包括TrendForce集邦咨询在内的多个分析机构表示，本轮存储芯片缺货紧缺主要由AI与服务器需求强力拉动，引发存储超级周期的结构性因素没有发生任何改变，合约价涨势将持续到2026年底，现货回调为短期波动；整体缺货状况要等到2028年原厂新产能开出才会逐步缓解，2027年仍将维持供应紧张格局。

鉴于此，市场预期三星电子二季度及下半年的业绩也将保持高速增长。半导体行业也预测，三星电子今年的年度营业利润可能接近320万亿韩元。

此外，基于三星电子发布的震撼性一季度财报，以及各大投行对存储行业的最新研报，市场对SK海力士二季度（预计2026年4月下旬发布）的业绩预期已经出现了大幅上调。