提前布局叉片技术！三星 1nm 制程提速，力争2030年前实现量产

进入2026年，三星晶圆代工业务迎来关键转折期——在2nm制程稳步推进的同时，其下一代1nm工艺的布局已全面提速，明确提出2030年前完成1nm制程研发并实现量产的目标，力求打破台积电长期以来的垄断格局，争夺先进半导体代工市场的主导权。

据TrendForce报道，三星正持续加大先进半导体技术投入，1nm制程的核心突破在于采用全新的“Forksheet”叉片晶体管结构——这是在其3nm节点引入的GAA（环栅）晶体管结构基础上的重大演进，更是其与竞争对手拉开差距的核心关键。

相较于GAA技术，Forksheet将晶体管的电流路径从三个面扩展至四个面，从而显著提升功耗效率；此外，该技术通过在晶体管之间构建电绝缘墙，在芯片空间内插入叉形片层，最大限度缩小晶体管间距，进而在相同芯片面积内容纳更多晶体管，大幅提升芯片的逻辑密度与运行性能。

三星的1nm研发建立在2nm制程的扎实积累之上。

目前，三星2nm GAA工艺良率已提升至60%，正逐步逼近70%的目标，为1nm研发筑牢了坚实的技术根基。与此同时，三星正深耕2nm制程，持续扩展细分工艺阵容，包括计划于今年部署的第三代2nm工艺SF2P、明年上线的SF2P+，以及专为特斯拉AI6芯片研发的定制化工艺SF2T——这款定制芯片将于2027年在美国泰勒新建晶圆代工中心实现量产。

去年，三星成功从特斯拉获得价值165亿美元的2nm AI芯片供应合同，这一合作不仅印证了其先进工艺的技术实力，更为1nm研发提供了充足的资金保障与实践支撑。因此，进入2026年以来，三星半导体研究所已正式抽调2nm等尖端制程的核心研发人员，组建1nm专项研发团队，全力开展技术攻坚工作。

与此同时，三星位于美国泰勒的在建晶圆厂部分区域已获得临时占用许可，今年3月已启动极紫外（EUV）光刻设备的试运行测试，为1nm工艺后续试产筑牢设备基础。此外，三星此前计划引进的ASML High-NA EUV光刻机已顺利到位并投入研发使用，该设备具备更高分辨率，能够有效解决1nm制程中晶体管微型化的光刻难题，进一步加快了技术验证的推进节奏。

据业内最新消息，三星1nm量产时间预计将在2029年后，相较于此前提出的2030年前量产目标，整体推进节奏更趋稳健有序。

在全球先进制程的激烈竞争中，三星的1nm研发计划将面临台积电的强势挑战。目前，台积电在晶圆代工市场占据近72%的绝对主导地位，其1.4nm级A14工艺计划于2027年试生产、2028年实现量产，三星在这一节点暂时处于劣势，因此试图通过1nm工艺实现弯道反超。

据悉，台积电计划在2030年后才将叉片技术引入1nm制程，而三星则将该技术提前应用于1nm研发，力争2030年前实现量产，意图凭借更快的技术迭代速度，抢占下一代半导体市场的先机。

值得注意的是，1nm制程的研发与量产面临着前所未有的技术壁垒。作为将计算单元缩小至五个原子晶粒大小的尖端工艺，其组件宽度仅为当前2nm工艺的一半，制造难度呈几何级数提升。在如此微小的尺寸下，几个原子的偏差、纳米级的信号路径缺陷，都可能严重影响芯片性能；导线与金属层的纤薄化还会导致热梯度异常，降低芯片可靠性，同时光刻胶等核心材料的纯度要求需达到千万亿分之一的级别。

此外，1nm制程还需要全新的IP、优化方案及EDA软件支持，这对三星的技术整合能力提出了极高要求。

自2019年提出“2030年成为系统半导体领域第一”的愿景以来，三星始终在先进制程领域奋力追赶台积电，先后推出全球首个7nm EUV光刻工艺、全球首款3nm芯片，逐步缩小与台积电之间的差距。尽管目前三星晶圆代工业务以6.8%的市场份额位居全球第二，与台积电仍有显著差距，但业内人士认为，三星在技术层面的持续突破使其具备较强竞争力，而1nm工艺的布局，正是其实现弯道超车的关键一步。

随着AI产业的进一步发展，1nm工艺作为下一代半导体技术的核心，将直接决定未来AI服务器、高端移动设备等领域的技术走向。三星全力冲刺1nm赛道，不仅是自身业务升级的必然需求，更将推动全球半导体产业迈入原子级制程的全新发展阶段。

未来几年，随着三星、台积电、Rapidus等企业的激烈角逐，1nm制程的技术突破与量产落地，将重塑全球先进晶圆代工市场的竞争格局，而三星能否凭借叉片技术如期实现既定目标，值得整个行业持续关注与期待。

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