【硬件资讯】都挺狠的

新 闻1： 2026年全球笔电出货量或进一步下调：预计跌幅接近15%，苹果逆势年增7.7%

此前有报道称，2026年第一季度存储器价格急剧上涨，可能会迎来超过60%的涨幅，而且今年剩余季度仍将面临价格继续上涨的压力，不过后续涨幅应该会相对温和。这对PC厂商造成了非常大的财务压力，只能选择减少促销、提高产品售价、调整配置等方式应对，预计今年笔记本出货量可能下降12%。

TrendForce发布了最新研究报告，显示近期全球笔记本电脑出货量有进一步转弱的迹象，预期终端消费动能趋缓、供应链成本持续垫高的双重影响下，今年笔记本出货量可能有更大降幅，达到14.8%，产业将进入更深层次的调整阶段。

从需求面来看，消费性市场复苏动能不如预期。需求疲弱除了受总体环境不佳，价格因素也削弱了购买意愿。未来几个季度里，可能会出现第二次、甚至多次涨价，在售价上行趋势延续下，消费者购买决策转趋保守，观望情绪升温，将进一步压抑实际出货动能。

2026年全球笔电市场面临结构性压力，品牌间的分化将更加明显。头部前几名厂商凭借规模优势与长期供应链合作关系，仍可在资源取得与成本控管上维持相对稳定。中小型品牌面临的压力显著升高，不仅采购成本缺乏议价空间，更容易受到缺料与交期波动影响，冲击出货表现。

最近苹果推出了新款低价机型MacBook Neo，规格高度标准化、开案数量精简、存储器容量与模组配置集中，有利于放大采购量体与长约议价，加上主动出击的向下延伸定价策略及对供应链的高度掌控，预计带动苹果笔记本电脑逆势增长，增幅达7.7%。

原文链接：https://www.expreview.com/98661.html

2026 年笔电市场算是彻底拉胯了，出货量直接快跌 15%，整个行业都在往下滑。主要就是存储芯片疯涨，还得接着涨，厂商扛不住成本就只能涨价减配，消费者一看更不想买了，越观望越凉。中小品牌最惨，没议价权还总缺料，日子根本没法过。也就苹果靠着新款 MacBook Neo 往下打市场，而且因为其他笔记本利润够高，也用不着涨价，销量直接逆势涨 7.7%。Win 本这边一堆品牌跟着大盘一起跌，完全挡不住，整个市场分化越来越严重，接下来只会更卷。

新 闻 2： 三星西安工厂已完成第一阶段生产线升级，推进至236层第8代V-NAND闪存

此前有报道称，去年三星向其位于西安的NAND闪存工厂投资了4654亿韩元，相比于2024年的2778亿韩元大幅增加，同比增长了67.5%。这是一个明显的转变信号，要知道三星在2020年至2023年之间，基本没有在这里进行重大投资。三星计划升级西安工厂的生产线，从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，目标今年再提升至400层第10代V-NAND闪存。

据TrendForce报道，三星已经完成了西安NAND闪存工厂第一阶段的生产线升级，将逐步淘汰128层第6代V-NAND闪存，同时加快236层第8代V-NAND闪存的量产工作。三星并不打算放慢升级的脚步，第二阶段的生产线升级很快便会到来，将升级至286层第9代V-NAND闪存，预计今年内完成，与去年初传出的消息相符。

旧产品需求减弱是主要的驱动因素，竞争对手凭借尖端产品快速发展，进一步加速了三星的转型进程。比如长江存储（YMTC），去年已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，无论密度还是总层数，都已提高到目前业界的最高水平。

就如之前的报道所言，三星除了第二阶段的生产线升级，同时还会为400层第10代V-NAND闪存的生产做好准备工作。

原文链接：https://baijiahao.baidu.com/s?id=1861083449577346556

三星西安厂总算把 128 层老闪存淘汰，升级到 236 层 V8 了，还砸了大笔钱扩产，明显是被市场逼得急了。老款没人要，对手又追得紧，尤其是长江存储直接干到 294 层，密度和层数都顶到业界天花板，三星再不提速就要被甩开咯

新 闻3： 三星目标2030年量产1nm工艺，，将引入“Forksheet”晶体管结构

进入2026年后，三星晶圆代工业务似乎迎来了转折点，最近2nm制程节点的开发和客户订单谈判进展似乎都非常顺利。最近有消息称，2nm GAA工艺继续取得进展，现在的良品率已提升至60%，距离70%的目标又近了一步。

据TrendForce报道，三星正在加大对先进半导体技术的投入，目标2030年之前完成1nm制程节点的开发工作，2030年实现量产，抢占下一代制程技术代工市场的主导权。与此同时，三星还计划深耕2nm制程节点，扩展不同细分工艺的阵容，以进一步争取主要客户。

在1nm制程节点上，三星预计将采用新的晶体管架构，引入“Forksheet”叉片晶体管结构。三星从3nm制程节点引入的GAA（Gate-All-Around）晶体管结构，将电流路径从原有的三个面扩展到四个面，最大限度地提高了功耗效率，而Forksheet则是在这基础上的演进，利用叉形片层技术在晶体管之间加入绝缘墙，从而缩小了晶体管之间的间距。通过消除未使用的空间，同一芯片面积下可以容纳更多晶体管。

去年三星在韩国首尔举行的SAFE 2025活动上，展示了第三代2nm工艺，称为“SF2P+”。另外三星针对特斯拉的AI6芯片，正在开发一种定制化工艺，称为“SF2T”。三星计划今年开始部署第三代2nm工艺，也就是SF2P，明年再上线SF2P+。

原文链接：https://www.expreview.com/105003.html

三星这饼画得也太急了吧，2nm 良率才刚到 60% 就敢喊 2030 年量产 1nm，还整什么 Forksheet 新结构，摆明了是被台积电逼得慌了神。又是补 2nm 工艺，又是抢特斯拉订单，生怕高端代工份额被吞完。但先进制程不是光吹牛就行，众所周知， 三星代工的漏电率，纸面吹得狠，实际拉胯得一批。

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