【简讯】NVIDIA RTX 60规格曝光；iPhone 20将搭载1.1毫米极窄边框…

NVIDIA RTX 60规格曝光

日前，RedGaming Tech透露，NVIDIA下一代GeForce RTX 60系列将基于Rubin架构打造，预计继续采用台积电3nm FinFET工艺，而非2nm以下节点。不过VideoCardz随后发文泼了冷水，称目前NVIDIA连最终的产品命名都未确定，Rubin游戏芯片甚至尚未流片，所有详细规格均为纯猜测。

RedGaming Tech提供了大量参数预测，称RTX 60系列将引入第六代Tensor核心和第五代RT核心。第六代Tensor核心配合算力提升，目标是将DLSS 5的实时AI渲染效果带入单卡性能范围，而NVIDIA此前展示DLSS 5时需要双RTX 5090才能运行。第五代RT核心则瞄准光线追踪性能的代际翻倍，相比RTX 50系列实现100%的实时路径追踪性能提升。

传统光栅性能方面，预计代际提升幅度较为保守，SKU对SKU相比RTX 50系列增长约30%至35%，主要依赖3nm工艺带来的IPC、频率和能效进步。

GPU频率预计维持在2GHz多到3GHz出头的区间，与当前Blackwell架构差距不大。

显存配置方面，NVIDIA将继续使用GDDR7标准，但可能通过位宽来提升容量和带宽，旗舰RTX 6090基于GR202芯片，保留512位GDDR7位宽，显存容量可能维持32GB不变。

RTX 6080基于GR203芯片，采用320位宽配备20GB显存，带宽较RTX 5080提升至少25%。RTX 6070基于GR205芯片，升级至256位位宽配备16GB显存，带宽提升至少33%，这一档位的显存升级幅度最为显著。

然而VideoCardz对此持强烈怀疑态度，称NVIDIA目前尚未披露下一代游戏GPU的任何性能目标，频率未知，Rubin游戏芯片甚至还没有完成流片。VideoCardz指出，NVIDIA现阶段使用的是板卡编号而非最终产品名称，因此RTX 6090、6080、6070等命名均不可靠。该媒体建议，任何仅给出频率范围、CUDA核心数量、显存规格或价格的所谓泄露都不值得认真对待。

iPhone 20将搭载1.1毫米极窄边框

据最新消息报道，苹果20周年纪念版iPhone 20将采用1.1毫米极窄屏幕边框，搭配极致圆润的边缘处理与四曲面瀑布屏设计，整机视觉效果接近无缝玻璃面板。此次曝光的设计核心为真全面屏形态，为配合1.1毫米窄边框，iPhone 20采用四边均向中框自然弯曲的四曲面屏幕，进一步弱化边框存在感，提升正面屏占比与一体感。

圆润边缘与四曲面造型相契合，可减少视觉断层，让机身握持手感更顺滑，同时强化整机的精致感与辨识度。要实现这样的外观，苹果需将前置摄像头与面容识别组件置于屏幕下方，这也是真全面屏方案的关键技术难点。

据悉，当前研发团队仍面临光线穿透率不足、屏下传感器识别精度未达标的问题，影响屏下摄像头成像与Face ID解锁稳定性。有媒体指出，iPhone 20距离量产仍有约18个月时间，苹果有充足周期优化屏下透光、算法校准等环节，逐步解决现有技术瓶颈。

三星西安工厂完成第一阶段生产线升级

此前有报道称，去年三星向其位于西安的NAND闪存工厂投资了4654亿韩元，相比于2024年的2778亿韩元大幅增加，同比增长了67.5%。三星计划升级西安工厂的生产线，从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，目标今年再提升至400层第10代V-NAND闪存。

据TrendForce报道，三星已经完成了西安NAND闪存工厂第一阶段的生产线升级，将逐步淘汰128层第6代V-NAND闪存，同时加快236层第8代V-NAND闪存的量产工作。三星并不打算放慢升级的脚步，第二阶段的生产线升级很快便会到来，将升级至286层第9代V-NAND闪存，预计今年内完成。

除了第二阶段的生产线升级，三星还会为400层第10代V-NAND闪存的生产做好准备工作。

2026年全球笔电出货量或进一步下调

此前有报道称，2026年第一季度存储器价格急剧上涨，可能会迎来超过60%的涨幅，而且今年剩余季度仍将面临价格继续上涨的压力，不过后续涨幅应该会相对温和。这对PC厂商造成了非常大的财务压力，只能选择减少促销、提高产品售价、调整配置等方式应对，预计今年笔记本出货量可能下降12%。

据TrendForce发布的最新研究报告显示，近期全球笔记本电脑出货量有进一步转弱的迹象，预期终端消费动能趋缓、供应链成本持续垫高的双重影响下，今年笔记本出货量可能有更大降幅，达到14.8%，产业将进入更深层次的调整阶段。

从需求面来看，消费性市场复苏动能不如预期，需求疲弱除了受总体环境不佳，价格因素也削弱了购买意愿。未来几个季度里，可能会出现第二次、甚至多次涨价，在售价上行趋势延续下，消费者购买决策转趋保守，观望情绪升温，将进一步压抑实际出货动能。

2026年全球笔电市场面临结构性压力，品牌间的分化将更加明显。头部前几名厂商凭借规模优势与长期供应链合作关系，仍可在资源取得与成本控管上维持相对稳定。中小型品牌面临的压力显著升高，不仅采购成本缺乏议价空间，更容易受到缺料与交期波动影响，冲击出货表现。

联发科天玑9600规格曝光

作为联发科的下一代旗舰处理器，天玑9600预计将于2026年9月正式登场，这款芯片的性能将直接对标同期的高通骁龙8 Elite Gen6系列。

据最新爆料，天玑9600将基于台积电领先的2nm制程N2P工艺打造。在CPU架构设计上，它采用了全新的2+3+3布局，由两颗强悍的超大核与六颗高效性能核组成。

这是联发科天玑9系首次引入双超大核方案，内部代号为Canyon。得益于先进制程与架构的双重升级，该芯片的综合运算能力相比前代产品实现了质的飞跃，能够从容应对未来更复杂的AI计算需求。

图形处理方面，天玑9600集成的全新一代GPU引入了神经网络着色器技术，这一方案能够精密协调GPU与NPU的协作效率，在显著降低整机功耗的同时，有效避免高负载任务导致的画面卡顿。这种深度的异构计算优化，确保了在运行各类大型游戏时，设备能够保持极高的帧率稳定性。对于追求极致游戏体验的用户而言，这种底层的技术革新将带来更持久、更流畅的操控感。

按照行业惯例与深度合作节奏，天玑9600预计将由vivo下一代旗舰X500系列全球首发搭载，相关终端产品最早有望在9月同步登场。

兆易创新将采购长鑫57亿元DRAM晶圆

近日，兆易创新发布公告，公司及控股子公司拟在2026年度向长鑫集团采购代工生产的DRAM相关产品，预计全年交易金额将达到57.11亿元。这一数字相较于2025年双方实际发生的11.82亿元交易额，同比增长4.83倍，呈现出爆发式的增长态势。

针对此次大幅增加的采购额度，兆易创新解释称，主要源于公司利基型DRAM业务的发展需要，随着新产品和解决方案的不断落地，业务规模预计将显著扩大。同时，当前DRAM市场价格处于上行周期，也导致了晶圆代工成本的同比提升。

作为一家采用Fabless（无晶圆厂）模式的存储器供应商，兆易创新在完成芯片设计后，需将晶圆制造环节外包给专业代工厂。

长鑫集团作为国内稀缺的DRAM存储芯片IDM（垂直整合制造）企业，能够为兆易创新的利基型DRAM业务提供关键的产能支持，双方属于优势互补的战略合作关系。

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