北京
国家知识产权局信息显示，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“碳化硅MOSFET以及半导体器件”的专利，公开号CN121772335A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种碳化硅MOSFET以及半导体器件。该碳化硅MOSFET包括电流扩展层、若干个P型体区以及若干个N+型源区；电流扩展层包括若干个第一鳍状结构；每一P型体区包括第二鳍状型结构；每一N+型源区包括第三鳍状型结构；每一第一鳍状结构和每一第三鳍状型结构之间均设有第二鳍状型结构；在电场作用下，第二鳍状型结构中与第一鳍状结构和第三鳍状型结构接触的部分之外的其他表面部分，构成鳍状型导电沟道。这种设计能够在相同的占地面积下，使第二鳍状型结构中所有表面部分均成为导电沟道，其构成的鳍状型导电沟道能够大大的增加了单位面积内的导电沟道面积，进而极大的降了低导电沟道的电阻。从而能够提高载流子迁移率低。
天眼查资料显示，上海贝岭股份有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本70892.3303万人民币。通过天眼查大数据分析，上海贝岭股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目73次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息671条，此外企业还拥有行政许可76个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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