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3月28日消息，随着三星Galaxy S26系列的上市，三星首款基于自家2nm GAA制程工艺的Exynos 2600处理器的性能也被曝光。从基于该处理器的实测数据来看，三星2nm GAA制程的能效表现仍不及基于台积电3nm的高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。
近日，一位YouTube频道博主@TechStation365对三星Galaxy S26、 OnePlus 15以及Motorola Signature等搭载不同芯片的设备进行了一系列测试，虽然Galaxy S26搭载的Exynos 2600的性能表现上已与高通基于台积电3nm（N3P）的Snapdragon 8 Elite Gen 5 相当，但30W峰值功耗已与部分笔记本电脑的功耗相当，令人担忧。而高通Snapdragon 8 Elite Gen 5的峰值功耗则保持在21W，显示三星2nm GAA制程仍需改进。
根据最新Geekbench 6测试显示：
高通Snapdragon 8 Elite Gen 5：
单核： 3,641分
多核： 10,902分
峰值功耗： 21.48W
三星Exynos 2600：
单核： 3,271分（比Snapdragon 8 Elite Gen 5低10.16% ）
多核： 10,745分（比Snapdragon 8 Elite Gen 5低1.14% ）
峰值功耗： 30.22W （比Snapdragon 8 Elite Gen 5高40.69% ）
高通Snapdragon 8 Gen 5：
单核心： 2,904分
多核心： 9,443分
峰值功耗： 21.89W
这里需要说明的是，Exynos 2600的CPU采用“1+3+6”十核心架构，包含1颗主频3.8GHz的Cortex-C1 Ultra核心、3颗3.25GHz的Cortex-C1 Pro核心和6颗2.75GHz的Cortex-C1 Pro核心。而Snapdragon 8 Elite Gen 5则包含两颗4.6GHz超大核与六颗3.62GHz大核。
虽然Exynos 2600峰值功耗可能只维持几秒，但这显示Galaxy S26在长时间高负载运行时可能表现不佳，因为Exynos 2600的整体功耗偏高。根据推测，Exynos 2600的高功耗可能与CPU核心数增加有关，以提升多核心表现，但代价是功耗上升；或者是Geekbench 6的设计强制SoC达到最高频率。
即便在解压20GB压缩包的常规任务中， Exynos 2600效率也未见改善，峰值功耗达13W ，而Snapdragon 8 Elite Gen 5与Snapdragon 8 Gen 5均低于5W 。
经过多次测试并计算平均值后，TechStation365认为Exynos 2600存在“功耗较高”的问题，因为这10核心需要更多电力才能达到最佳性能。这也反应了台积电3nm制程的整体表现仍优于三星2nm。
由于Exynos 2600的功耗偏高，导致了Galaxy S26的电池续航表现不佳，在相关测试中，续航时间只有6小时48分钟，相比之下搭载Snapdragon 8 Elite Gen 5的安卓手机续航则达到了9小时26分钟，比Galaxy S26高出了28%。
编辑：芯智讯-浪客剑
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