北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法”的专利，公开号CN121751831A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法，包括以下步骤：将待蚀刻的LED外延片置于ICP反应腔室中，并通入蚀刻气体；进行多段蚀刻：启动等离子体，并依次执行至少两个蚀刻阶段，其中，至少两个蚀刻阶段的上电极功率和/或下电极功率的设置值不同，各蚀刻阶段根据预设的蚀刻深度或时间进行切换；蚀刻达到目标总深度后，停止工艺。通过第二阶段的优化参数，有效平衡了等离子体密度和离子轰击能量，使晶圆内和晶圆间的蚀刻速率一致性大幅提高。实施例数据显示，盘间均匀性可从传统方法的4.50%优化至4.80%以内。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息229条，此外企业还拥有行政许可42个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
