北京
国家知识产权局信息显示，中砥半导体技术（江苏）有限公司申请一项名为“基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法”的专利，公开号CN121737851A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法，涉及半导体材料制备与人工智能控制技术领域；本发明通过构建多温区热场数字孪生模型，采集磷化铟单晶生长炉内的多通道温度数据、加热功率数据及晶体生长图像数据，并进行炉内热场分布的实时三维重构；以晶体生长速率、固液界面形状及热应力分布为优化目标，输出各温区加热器的功率调整指令；引入AI校准模块，对数字孪生模型的热物性参数进行修正；对未来时刻的热场状态进行推演，提前补偿热滞后效应，实现对磷化铟单晶生长过程的精准闭环控制；本发明解决了传统PID控制难以应对大尺寸晶体生长中非线性、强耦合、大滞后热场变化的问题，显著提高了单晶成品率和晶格质量。
天眼查资料显示，中砥半导体技术（江苏）有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1166.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，中砥半导体技术（江苏）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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