上海
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3月24日，据萧山发布消息，从浙大杭州国际科创中心（以下简称“科创中心”）了解到，依托科创中心自主孵育的科学公司杭州镓仁半导体有限公司，团队成功实现高质量8英寸氧化镓同质外延生长，在全球范围内尚属首次。
经权威检测：该8英寸氧化镓外延片平均厚度达13.05微米，厚度均匀性优异，表明外延生长过程具有良好的可控性与一致性。
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