北京
国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司申请一项名为“互补场效应管结构”的专利，公开号CN121619954A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供的一种互补场效应管结构，其中包括第一GAA器件结构和位于第一GAA器件结构上方的第二GAA器件结构。由于所述第一GAA器件结构的沟道方向平行于第一方向，所述第一GAA器件结构的沟道方向平行于第二方向，并且，所述第一方向与所述第二方向互相垂直，因此，第一源、第一漏、第二源和第二漏分别位于所述该互补场效应管的四个方向上，使得第一GAA器件结构的第一源与第一漏和第一GAA器件结构第二源与第二漏形成较好的源漏隔离。进一步的，第一源、第一漏、第二源和第二漏均能够实现单独向上或向下引出，使得对应的引出结构简单且灵活，并且，其引出结构并不会占用额外的面积，使得提高了互补场效应管结构的集成密度。
天眼查资料显示，上海集成电路制造创新中心有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目166次，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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