北京
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国家知识产权局信息显示，纳维达斯半导体有限公司申请一项名为“二维电子气电荷密度控制”的专利，公开号CN121586281A，申请日期为2022年6月。
专利摘要显示，本公开涉及二维电子气电荷密度控制。公开了用于控制氮化镓（GaN）装置中的二维电子气（2DEG）电荷密度的结构和相关技术。在一个方面，一种GaN装置包含化合物半导体衬底、形成于所述化合物半导体衬底中的源极区、形成于所述化合物半导体衬底中并与所述源极区分离的漏极区、形成于所述化合物半导体衬底中并在所述源极区与所述漏极区之间延伸的2DEG层、形成于所述化合物半导体衬底上并定位在所述源极区与所述漏极区之间的栅极区，以及设置在所述栅极区与所述漏极区之间的多个隔离的电荷控制结构。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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