北京
国家知识产权局信息显示，矽赫微科技（上海）有限公司申请一项名为“一种基于激光表面活化与修复的直接键合方法”的专利，公开号CN121586509A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提出了一种基于激光表面活化和修复的直接键合方法，包括晶圆清洗、高能激光处理、低能激光处理和晶圆键合步骤。所述方法使用高能激光激活晶圆键合界面的原子并促进其扩散，打开表面悬挂键，为后续键合过程创造有利条件。随后，使用低能激光对键合界面的非晶化或晶格损伤层进行修复。本发明提出一种可在室温条件下进行的，在活化的同时实现晶格修复的键合方法。所述方法无需进行额外退火处理，激光处理仅作用于晶圆表面，同时充分利用激光加工所特有的快速升降温特性，将对晶圆的影响严格限制在晶圆的极浅表层，在降低整体热预算的同时，避免了对晶圆本体造成热损伤，特别适用于对热敏感器件的高质量键合制备。此外，所述方法具备优异的兼容性，可与等离子体活化、表面活化键合等现有技术结合使用，以提升键合工艺的灵活性和产品质量。
天眼查资料显示，矽赫微科技（上海）有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本641.4183万人民币。通过天眼查大数据分析，矽赫微科技（上海）有限公司专利信息11条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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