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随着 SoC 设计向先进节点发展,以及人工智能、新型传感器技术和严格的质量标准带来的新需求,非易失性存储器的选择变得越来越复杂。
2025 年第二份年度 NVM 调查报告于 12 月完成,该报告反映出,市场仍然依赖于现有技术,但为了应对这些新的设计和生产限制,市场正在越来越多地尝试替代方案。
超过80%的受访者表示他们正在使用或评估嵌入式非易失性存储器(NVM)技术。20%的受访者目前正在寻找NVM,近30%的受访者预计将在未来一年内选择NVM IP。总而言之,这表明该市场既成熟又活跃。相当一部分近期决策尚未做出,这意味着各种竞争技术之间仍存在很大的发展空间。
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图:受访者计划何时选择非易失性存储器
嵌入式闪存在技术认知度方面仍然占据主导地位,超过 80% 的受访者对其有所了解,这反映了其长期以来作为默认选择的地位。尽管如此,调查显示人们对闪存以外的其他技术也越来越熟悉。FRAM、MRAM 和 ReRAM 的认知度均超过四分之一,表明其他非易失性存储器 (NVM) 技术如今也已成为主流认知的一部分。
供应商的知名度也遵循类似的模式。少数几家供应商因其知名度而脱颖而出,依次为SST(嵌入式闪存)、英飞凌(SONOS)和Weebit Nano(ReRAM)。
当被问及嵌入式非易失性存储器(NVM)选择标准的重要性时,结果强调了实用性。可靠性、耐久性和数据保持能力均名列前茅,加权平均分均远高于3.0(满分4.0),证实它们仍然是嵌入式NVM选择的基础要求。工艺可扩展性紧随其后,得分也超过3.0,反映出将传统嵌入式NVM扩展到嵌入式闪存无法扩展的先进几何结构中变得越来越困难。电源效率的得分也超过3.0。集成风险和长期可预测性仅略逊一筹,表明制造准备和生命周期稳定性现在几乎与原始技术性能同等重要。这表明市场正在走向成熟;人们认识到新型NVM的原始技术能力是存在的,但集成的风险和成本正成为真正的担忧,尤其是在闪存集成不可行的情况下。
风险和痛点数据强化了这一观点。可扩展性限制和功耗性能权衡最为突出,二者的加权平均分均超过 3.0 分(满分 4.0 分),表明它们被视为当前非易失性存储器 (NVM) 部署的关键制约因素,尤其是在先进工艺节点中。可靠性问题和成本不确定性紧随其后,同样位列评分较高的位置,表明长期可预测性和经济风险仍然是许多设计方案尚未解决的问题。综上所述,这些压力有助于解释为什么人们对替代 NVM 技术的认知度不断提高,即使在采用方面仍然持谨慎态度。
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图. 按重要性排序的痛点
设计压力似乎增长速度超过了传统存储器的适应能力。与去年的调查相比,变化的并非人们对嵌入式闪存信心的丧失,而是其面临的压力明显加剧。如今,越来越多的团队开始评估替代方案,并非出于好奇,而是因为扩展性、功耗和长期可预测性正成为未来设计的关键制约因素。
总体而言,2025 年的调查并未显示嵌入式闪存将被突然弃用,但它确实表明,从传统存储技术向新型非易失性存储器 (NVM) 的过渡正进入一个更为关键的阶段,并且随着设计开始向出于技术原因需要新型 NVM 的节点过渡,这一进程可能会加速。人们对替代 NVM 的认知度正在提高,评估范围也在扩大,相当一部分团队预计将在未来一年内做出具体的 IP 选择。
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图:规划设计从节点开始
外部预测也指向同一方向:Yole Group 的展望表明,到 2030 年,嵌入式新兴 NVM 的市场规模可能达到 33 亿美元,这主要得益于下一代 MCU 和 SoC 中 MRAM、PCM 和 ReRAM 等技术的采用。
与去年的结果相比,发展方向更加明确:问题不再是嵌入式闪存能否进一步扩展,而是它能够持续满足扩展性、能效、可靠性和成本可预测性的综合需求多久。
对于许多 SoC 团队来说,NVM 的选择正在从一种背景假设转变为一项紧迫的架构决策,这将影响下一代设计的产品可行性。
https://semiwiki.com/ip/366930-memory-matters-signals-from-the-2025-nvm-survey/
(来源:编译自semiwiki)
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