北京
国家知识产权局信息显示，江苏神州半导体科技股份有限公司申请一项名为“多光谱融合的等离子体刻蚀台异常放电诊断方法及装置”的专利，公开号CN121565766A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了多光谱融合的等离子体刻蚀台异常放电诊断方法及装置，涉及等离子体刻蚀技术领域，该方法包括：随等离子体刻蚀工艺进程使用微型光谱探头进行关键位置的光谱探测，获取多光谱数据，并通过熵态检测组件进行熵场转换和熵变分析，确定第一检测结果；当熵变接近阈值时，触发等离子体检测组件进行进一步检定，得出第二检测结果，并以此判断异常放电并进行诊断，对等离子体刻蚀工艺进程进行反馈管控。本发明解决了现有等离子体刻蚀工艺中异常放电检测滞后、准确性不足，影响刻蚀工艺的稳定性和生产效率的技术问题，达到了通过多光谱融合与深度分析，实现异常放电的早期诊断和高精度识别，提升刻蚀工艺的稳定性和生产效率的技术效果。
天眼查资料显示，江苏神州半导体科技股份有限公司，成立于2016年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6600万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏神州半导体科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息26条，专利信息189条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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