SK海力士：存储价格将继续上涨

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据《金融时报》报道，SK海力士目前的动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存库存仅够维持约四周。随着人工智能（AI）服务的进步，需求不断增长，而供应仍然有限，分析师预计今年内存价格的上涨趋势将持续。一些人认为，市场已经进入了供应商主导的阶段。

据美国金融博客 Zero Hedge 21 日报道，SK 海力士最近在与高盛研究人员（包括 Guinee Lee）的讨论中分享了这一情况。

李指出，SK海力士预计“大量投资将继续持续，因为客户在开发人工智能服务方面取得了显著进展”。他补充道：“虽然PC和移动用户可能因价格大幅上涨而降低配置，这可能会抑制需求，但由于供应扩张能力有限，价格上涨趋势可能会持续下去。”

他还指出，“整个行业洁净室空间短缺加剧了供应限制，并为价格上涨创造了有利环境。”与此同时，他分析道，“客户认识到短期内大幅扩大产能困难，因此像过去那样为了确保销量而重复下单的可能性很低。”

具体而言，SK海力士的DRAM和NAND库存已降至约四周的供应量，这被视为进一步增强了该公司作为供应商的议价能力。李先生解释说：“稳健的库存管理和紧张的供需环境有利于就长期合同进行磋商。”他补充道：“目前DRAM相对于需求的短缺也可能有利于2027年HBM业务的扩张。”

该公司工艺升级路线图也与此前预期基本一致。李表示：“1c纳米工艺将从2026年起主要应用于DRAM，并从2027年起全面应用于HBM。”他还指出，“对DRAM和HBM的资本支出重点与此前的预期一致。”

会议主要纪要 (Key Takeaways)

1. 受实际需求和供应紧张驱动，内存价格年内可能持续上涨 海力士认为，在 AI 客户强劲需求的推动下，当前的内存价格上涨趋势可能贯穿全年。公司预计，随着 AI 客户在 AI 服务方面取得实质性进展，他们将继续保持相当大的投资规模。 尽管公司承认 PC 和移动端客户潜在的“规格降低（despeccing）”可能会对内存需求造成压力，但由于供应增长有限，公司仍预计价格将保持上涨轨迹。 公司提到，全行业无尘室空间有限是导致供应紧张和内存价格环境有利的原因之一。公司认为内存订单出现实质性“重复下单（double-booking）”的可能性较低，因为客户意识到短期内内存产能无法显著增加，因此他们认识到重复下单不会带来更多配额，反而会进一步推高价格。

2. 健康的库存水平和增强的供应商议价能力促使长期合同讨论增加 海力士强调，今年没有客户能够完全满足其内存需求，因此所有终端市场的需求满足率仍处于较低水平。结果是，海力士认为服务器客户的库存水平正达到健康状态，而 PC/移动端客户的库存水平呈下降趋势。 考虑到供应商方面的库存也很精简（我们认为海力士持有的 DRAM 和 NAND 正常库存水平约为 4 周，并预计该水平将在全年下降），我们认为供应商的议价能力（leverage）将继续增强。 在此背景下，公司正在与主要客户讨论多年期合同。虽然讨论已取得一定进展，但海力士总体持谨慎态度，试图最大化未来的需求稳定性。

3. 当前传统 DRAM 供需紧张可能为 2027 年的 HBM 业务带来更有利的条款 虽然认识到需求的潜在上行空间，但海力士提到，鉴于今年的 HBM 已售罄且满足客户需求的生产已分配完毕，要在 2026 年对 HBM 和传统 DRAM 之间的生产计划进行实质性更改将很困难。 虽然公司可能会坚持 2026 年的原定产能分配计划，但我们认为，对于 2027 年，公司的 HBM 业务可能有更大的上行空间，因为我们认为它将能够反映当前传统 DRAM 显著的供需紧张状况。

4. 2026 年 1c nm 产能爬坡主要针对传统 DRAM，HBM 主要从 2027 年开始 海力士今年将专注于在 M15X 工厂提升 1b nm DRAM 产能，主要用于支持 HBM3E 和 HBM4 的供应。鉴于公司计划从 HBM4E 开始使用 1c nm 工艺，该节点用于 HBM 的大规模产能爬坡可能会在 2027 年完成。 同时，由于公司预计全年对 DDR5 和 LPDDR5（包括 SOCAMM）的需求强劲，其可能会进行大规模的技术迁移（而不是增加新的晶圆产能），以增加其传统 DRAM 的 1c nm 位元供应，并预计到今年年底，超过一半的传统 DRAM 将采用 1c nm 节点。

5. 资本支出指引及对 DRAM/HBM 投资的关注与高盛预测基本一致 虽然海力士提到今年的资本支出计划仍在讨论中，但其继续预计支出将比去年有所增加，同时计划继续坚持资本支出纪律。公司预计今年的资本支出中，晶圆厂设备（WFE）的组合与去年相比不会有太大差异。 虽然公司已恢复了部分 NAND 投资，主要是为了迁移到 321层 3D NAND，但仍预计 NAND 资本支出的比例将保持稳定，因为资本支出的重点仍将放在 HBM 和传统 DRAM 上。 我们认为公司对资本支出的看法与我们的观点基本一致，因为我们预计公司今年的总资本支出将同比增长 36%，达到 38 万亿韩元，并预计 NAND 的占比今年将保持在低双位数百分比，与去年相似。

（来源：半导体行业观察综合）

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