北京
国家知识产权局信息显示，湘能华磊光电股份有限公司申请一项名为“一种高色域LED芯片结构及其制备方法”的专利，公开号CN121548149A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明适用于半导体LED显示技术领域，提供了一种高色域LED芯片结构及其制备方法，高色域LED芯片结构包括从下至上依次设置的衬底材料、缓冲层、第一半导体层、绿波量子阱层、电子空穴调节层、蓝波量子阱层、第二半导体层、电流阻挡层和电流扩展层，还包括第一金属电极层、第二金属电极层以及透明绝缘层；所述电子空穴调节层用于控制电子和空穴在绿波量子阱层与蓝波量子阱层中的分布，以调节绿波量子阱层出射光的波长和光谱强度；本发明通过电子空穴调节层的导入，可以有效控制长波波长以及对应的光谱强度，实现在单颗芯片出射两个波长，通过双波的引入，可以提升显示屏色域。
天眼查资料显示，湘能华磊光电股份有限公司，成立于2008年，位于郴州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本43700.129万人民币。通过天眼查大数据分析，湘能华磊光电股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目343次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息692条，此外企业还拥有行政许可39个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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