北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“分立器件的同测测试方法及系统”的专利，公开号CN121500051A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种分立器件的同测测试方法及系统，本发明用于解决现有技术中因被屏蔽器件源极悬空而导致高压IDSS测试值异常偏高的问题。该方法包括：在同测测试的下针操作中，判断当前下针区域内是否存在至少一个被屏蔽的待测器件；当存在时，通过与该被屏蔽的待测器件的源极对应的探针，将其源极经由电阻接地。本发明通过为被测器件内部的杂散电容提供有效的泄放路径，从根本上消除了高阻抗长尾效应的干扰，能够显著提高测试准确性，提升产品良率，且方案实施简便、兼容性好。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可229个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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