北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“存储器结构及其形成方法”的专利，公开号CN121510584A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，一种存储器结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；若干沟道结构，沟道结构分立位于衬底上；浮栅结构，浮栅结构包围沟道结构；控制栅结构，控制栅结构包围浮栅结构；字线结构，字线结构包围沟道结构，且字线结构位于浮栅结构和控制栅结构上方。字线结构、浮栅结构和控制栅结构沿垂直于衬底表面的方向排布，减少平行于衬底表面的方向上的存储器结构的尺寸，提高器件集成度；此外，控制栅结构包围浮栅结构，增加了控制栅结构和浮栅结构之间的接触面积，进而增加控制栅结构和浮栅结构之间耦合面积，提高了器件的耦合率，降低了存储器结构的功耗以及提高了器件的耐用性。
天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可229个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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