北京
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国家知识产权局信息显示，JCET 星科金朋韩国有限公司申请一项名为“使用VFM在HBM模块中形成互连结构的半导体器件和方法”的专利，公开号CN121463840A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，一种半导体器件具有第一电气部件和第二电气部件。混合焊剂材料沉积在第一电气部件和/或第二电气部件上。混合焊剂材料可以是具有非导电膜或非导电膏的焊剂材料。第二电气部件堆叠在第一电气部件上。第一电气部件可以是半导体晶片或半导体管芯，并且第二电气部件可以是半导体晶片或半导体管芯。使用VFM信号在第一电气部件和第二电气部件之间形成互连结构。可以在VFM信号期间或之后施加热量。互连结构可以是凸块。密封剂沉积在第一电气部件和第二电气部件上。密封和堆叠的电气部件可以作为HBM模块安装到互连衬底。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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