北京
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“沉积碳导电膜的方法”的专利，公开号CN121463732A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请涉及沉积碳导电膜的方法。所述方法可包含使第一前体与基底材料反应以在材料上形成碳化合物。所述第一前体可包含锗、硅或锡中的至少一种。所述方法可进一步包含使第二含碳前体与所述碳化合物反应以在所述基底材料上形成层。在此类情况下，可通过将多个材料堆叠暴露于所述第一前体和所述第二含碳前体而在所述多个材料堆叠上形成碳层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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