北京
国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种通过应力匹配沉积保护膜的方法和半导体制造方法”的专利，公开号CN121451158A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种通过应力匹配沉积保护膜的方法和半导体制造方法，包括：建立预设数据库，预设数据库包括：多个保护膜参数组及其对应的保护膜应力值。获取本批次晶圆的工艺膜应力值和上一批次晶圆的保护膜参数组下的原保护膜应力值。判断原保护膜应力值是否满足应力匹配条件，利用预设数据库调取更新的保护膜参数组，直至获得满足应力匹配条件的保护膜应力参数组。将满足应力匹配条件的保护膜参数组应用于保护膜沉积工艺中。其中，应力匹配条件为工艺膜应力值和保护膜应力值之差的绝对值小于等于参数调节阈值。本发明所述沉积保护膜的方法有效防止膜层脱落而污染晶圆，提高晶圆生产的良率和可靠性，并提高了晶圆的生产效率，降低晶圆的生产成本。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可90个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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